L'impatto della temperatura sui rivestimenti CVD-SiC

La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è una tecnica versatile per la produzione di rivestimenti di alta qualità con varie applicazioni in settori quali quello aerospaziale, elettronico e della scienza dei materiali. I rivestimenti CVD-SiC sono noti per le loro proprietà eccezionali, tra cui resistenza alle alte temperature, resistenza meccanica ed eccellente resistenza alla corrosione. Il processo di crescita del CVD-SiC è estremamente complesso e sensibile a diversi parametri, tra cui la temperatura è un fattore critico. In questo articolo esploreremo gli effetti della temperatura sui rivestimenti CVD-SiC e l'importanza di selezionare la temperatura di deposizione ottimale.

Il processo di crescita di CVD-SiC è relativamente complesso e può essere riassunto come segue: ad alte temperature, l'MTS viene decomposto termicamente per formare piccole molecole di carbonio e silicio, le principali molecole fonte di carbonio sono CH3, C2H2 e C2H4 e le principali molecole di origine del silicio sono SiCl2 e SiCl3, ecc.; queste piccole molecole di carbonio e silicio vengono poi trasportate dai gas di trasporto e di diluizione in prossimità della superficie del substrato di grafite, e quindi vengono adsorbite sotto forma di stato adsorbato. Queste piccole molecole verranno trasportate sulla superficie del substrato di grafite dal gas di trasporto e dal gas di diluizione, quindi queste piccole molecole verranno adsorbite sulla superficie del substrato sotto forma di stato di adsorbimento e quindi le piccole molecole reagiranno con ciascuna altro per formare piccole goccioline e crescere, e anche le goccioline si fonderanno tra loro, e la reazione è accompagnata dalla formazione dei sottoprodotti intermedi (gas HCl); a causa dell'elevata temperatura della superficie del substrato di grafite, i gas intermedi verranno rimossi dalla superficie del substrato e quindi i residui di C e Si si formeranno allo stato solido. Infine, il C e il Si rimanenti sulla superficie del substrato formeranno un SiC in fase solida per formare un rivestimento SiC.

La temperatura dentroRivestimento CVD-SiCI processi sono un parametro critico che influenza il tasso di crescita, la cristallinità, l'omogeneità, la formazione di sottoprodotti, la compatibilità del substrato e i costi energetici. La scelta di una temperatura ottimale, in questo caso 1100°C, rappresenta un compromesso tra questi fattori per ottenere la qualità e le proprietà desiderate del rivestimento.