Suscettore a barilotto rivestito in SiC

Grazie all'elevato punto di fusione, alla resistenza all'ossidazione e alla corrosione, il suscettore cilindrico rivestito in SiC Semicorex è la scelta perfetta per l'uso in applicazioni di crescita di cristalli singoli. Il rivestimento in carburo di silicio fornisce eccezionali proprietà di planarità e distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti ad alta temperatura più esigenti.

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Descrizione del prodotto

Il susceptor barile rivestito in SiC Semicorex è un prodotto in grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, progettato specificamente per i processi LPE e altre applicazioni di produzione di semiconduttori. La sua eccezionale densità e conduttività termica forniscono una distribuzione del calore e una protezione superiori in ambienti corrosivi e ad alta temperatura.
Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di suscettori per cilindri rivestiti in SiC di alta qualità ed economici, diamo priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni economicamente vantaggiose. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.

Parametri del suscettore a barilotto rivestito in SiC

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore a barilotto rivestito in SiC

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.