Con il suo elevato punto di fusione, resistenza all'ossidazione e resistenza alla corrosione, il suscettore a cilindro rivestito di SiC Semicorex per la crescita di LPE è la scelta perfetta per l'uso in applicazioni di crescita di cristalli singoli. Il suo rivestimento in carburo di silicio offre eccezionali proprietà di planarità e distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti ad alta temperatura più esigenti.
Il suscettore barilotto rivestito di SiC Semicorex per la crescita di LPE è un prodotto di grafite di alta qualità rivestito con SiC di elevata purezza, progettato specificamente per i processi LPE e altre applicazioni di produzione di semiconduttori. La sua eccezionale densità e conducibilità termica forniscono una distribuzione del calore e una protezione superiori in ambienti ad alta temperatura e corrosivi.
In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di suscettori di barili rivestiti in SiC di alta qualità e convenienti per la crescita di LPE, diamo la priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni convenienti. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.
Parametri del suscettore del barilotto rivestito di SiC per la crescita di LPE
Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura di cristallo |
FCC fase β |
|
Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
μm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Resistenza alla flessione |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curva 4pt, 1300℃) |
430 |
Espansione termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore del barilotto rivestito di SiC per la crescita di LPE
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.
- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.
- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.
- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.
- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.