Coperchio sic

Il coperchio SIC Semicorex è una parte vitale progettata specificamente per l'elaborazione dei semiconduttori. È progettato per gli ambienti più difficili di applicazioni di epitassia, impianto ionico e ad alta temperatura. È prodotto con carburo di silicio ultra-puro che ha proprietà di materiale estremamente stabili e precisione ingegnerizzata. La coerenza a lungo termine, la durata e la pulizia sono i motivi chiave per selezionare il coperchio SIC Semicorex per l'uso nei processi avanzati di fabbricazione di semiconduttori.

Silicio carburo (sic)Ha una gamma di proprietà uniche rispetto alla ceramica tradizionale o ai materiali metallici. Uno dei principali vantaggi di SIC è la sua resistenza alle alte temperature. SIC può mantenere la sua integrità strutturale e stabilità meccanica, per lunghi periodi anche a temperature elevate. Ciò rende SIC ideale per processi come la deposizione di vapore chimico (CVD) epitassia o l'impianto ionico ad alta energia. I metalli e le materie plastiche deformerebbero, si ossida o contaminerebbero a temperature estreme, mentre SIC manterrà la sua stabilità dimensionale e non interagirà positivamente con i wafer elaborati.

La resistenza chimica è un'altra caratteristica distintiva dei coperchi SIC. Nell'elaborazione dei semiconduttori gli ambienti che potresti incontrare con gas corrosivi, prodotti chimici del plasma o reattivi non sono rari. In quegli scenari la superficie SIC fornirà una barriera inerte per resistere a quei contaminanti dal degradare la superficie nel tempo con conseguente vita più efficace. Questa longevità equivale a una riduzione dei costi di manutenzione, ai tempi di calo delle attrezzature ridotti e alla ripetibilità attraverso i cicli di processo estesi. Questi fattori rendono il coperchio SIC un'opzione migliore per i Fab che richiedono una produzione continua e ad alta resa rispetto ai materiali tradizionali.

Proprio come la resistenza chimica, la purezza è anche fondamentale nell'applicazione dei semiconduttori. La presenza di contaminanti in traccia può avere un impatto negativo sulle prestazioni e sulla resa del dispositivo. Il coperchio SIC è realizzato con materiali in carburo di silicio ad alta purezza che esclude la possibilità di impurità metalliche che fluiscono nell'ambiente di processo. Inoltre, è garantito che sia il più pulito possibile e stabile in quanto si riferisce ai contaminanti e alle forze esterne che incidono sulle prestazioni del coperchio, il che è fondamentale per soddisfare i requisiti di produzione dei semiconduttori di oggi, in cui gli oggetti a livello di nanometro devono essere definiti con precisione senza dimensioni e controllo dei contaminanti. La flessibilità offerta dal coperchio SIC è un valore aggiuntivo. Ogni componente può essere progettato per le esigenze specifiche del cliente rispetto a dimensioni, geometria e finitura superficiale. Ciò garantisce che il coperchio possa essere facilmente incorporato e integrato con diversi modelli di apparecchiature e strumenti di processo.

La precisione della lavorazione diSicI coperchi migliorano ulteriormente il valore dei coperchi SIC. Gli strumenti a semiconduttore richiedono la massima precisione meccanica a causa delle grandi fluttuazioni nella compatibilità dimensionale e nell'uniformità della superficie, anche le variazioni minori nell'uniformità e lo spessore del materiale possono compromettere gravemente le coerenze del processo di uno strumento, la produzione e la qualità del prodotto. Tramite tecnologie avanzate nella lavorazione dei materiali, i coperchi SIC hanno una planarità, uniformità della superficie e tolleranze che superano gli standard del settore convenzionali, offrendo uno spessore della superficie meccanico di sigillatura di, in genere, migliaia/migliaia di pollici (TIR). L'elevata planarità consente di sigillare un adattamento meccanico e la garanzia per i limiti di livello di laboratorio per sperimentare le condizioni nel processo di produzione. Ciò è particolarmente evidente nei FAB ad alto volume in cui l'enfasi sulla ripetibilità delle condizioni è cruciale per le prestazioni dei dispositivi semiconduttori. Quando persegui ingegneria di precisione, parla direttamente per produrre l'ottimizzazione. When SiC lids are in typical practical use, for example, in epitaxy where the SiC lid sits thermally and chemically stable to get in the reactor, or in an ion implantation system to resist energetic particles ejected from a high power beam of ions hitting the lid, their mechanical configurations and properties maintained their performance under constant bombardment of energetic solids, stable to operating conditions and maintenance were potential I pretendenti nel perché i coperchi SIC sono destinati a essere sinonimi nella produzione di semiconduttori a stato solido.

Il coperchio SIC Semicorex rappresenta il meglio sia della scienza dei materiali che dell'ingegneria dei materiali e offre le migliori prestazioni possibili in ambiente a semiconduttore, tra le loro tolleranze ad alte temperature, resistenza chimica, purezza ideale, fabbricazioni personalizzate, lavoro di lavorazione precisa, il LID SIC eseguirà.