2023-08-18
Il substrato SiC può presentare difetti microscopici, come la dislocazione della vite filettata (TSD), la dislocazione del bordo filettato (TED), la dislocazione del piano base (BPD) e altri. Questi difetti sono causati da deviazioni nella disposizione degli atomi a livello atomico. I cristalli di SiC possono anche avere dislocazioni macroscopiche, come inclusioni di Si o C, microtubi, vuoti esagonali, polimorfi, ecc. Queste dislocazioni sono tipicamente di grandi dimensioni.
Uno dei problemi principali nella produzione di dispositivi SiC sono le microstrutture tridimensionali note come "microtubi" o "fori stenopeici", che in genere hanno dimensioni rispettivamente di 30-40 um e 0,1-5 um. Questi microtubi hanno una densità di 10-10³/cm² e possono penetrare nello strato epitassiale, provocando difetti dannosi per il dispositivo. Sono causati principalmente dal raggruppamento di dislocazioni spiro e sono considerati l'ostacolo principale nello sviluppo di dispositivi SiC.
I difetti dei microtubuli sul substrato sono la fonte di altri difetti formati nello strato epitassiale durante il processo di crescita, come vuoti, inclusioni di vari polimorfi, gemelli, ecc. Pertanto, la cosa più importante da fare durante il processo di crescita del materiale del substrato per i dispositivi SiC ad alta tensione e potenza è quello di ridurre la formazione di difetti dei microtubuli nei cristalli di SiC sfusi e di impedire loro di entrare nello strato epitassiale.
I microtubi possono essere visti come piccoli pozzi e, ottimizzando le condizioni del processo, possiamo "riempire i pozzi" per ridurre la densità del microtubo. Numerosi studi in letteratura e dati sperimentali hanno dimostrato che l’epitassia per evaporazione, la crescita CVD e l’epitassia in fase liquida possono riempire il microtubo e ridurre la formazione di microtubo e dislocazioni.
Semicorex utilizza la tecnica MOCVD per creare rivestimenti SiC che riducono efficacemente la densità dei microtubi, ottenendo prodotti di alta qualità. Se hai domande o hai bisogno di ulteriori dettagli, non esitare a contattarci.
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