Sistema reattore per epitassia in fase liquida (LPE).

Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System è un prodotto innovativo che offre eccellenti prestazioni termiche, profilo termico uniforme e adesione del rivestimento superiore. La sua elevata purezza, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione ne fanno una scelta ideale per l'uso nell'industria dei semiconduttori. Le sue opzioni personalizzabili e l'economicità lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Descrizione del prodotto

Il nostro sistema reattore per epitassia in fase liquida (LPE) è un prodotto altamente affidabile e duraturo che offre un eccellente rapporto qualità-prezzo. La sua resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, anche il profilo termico e la prevenzione della contaminazione lo rendono ideale per la crescita dello strato epitassiale di alta qualità. I suoi bassi requisiti di manutenzione e la personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro sistema di reattore per epitassia in fase liquida (LPE) ha un prezzo vantaggioso ed è esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Contattateci oggi per saperne di più sul nostro sistema di reattore per epitassia in fase liquida (LPE).

Parametri del sistema di reattore per epitassia in fase liquida (LPE).

Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del sistema di reattore per epitassia in fase liquida (LPE).

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.