Sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE).

Il sistema reattore Semicorex per epitassia in fase liquida (LPE) è un prodotto innovativo che offre eccellenti prestazioni termiche, un profilo termico uniforme e un'adesione superiore del rivestimento. La sua elevata purezza, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e resistenza alla corrosione lo rendono la scelta ideale per l'uso nell'industria dei semiconduttori. Le sue opzioni personalizzabili e il rapporto costo-efficacia lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Descrizione del prodotto

Il nostro sistema di reattore per epitassia in fase liquida (LPE) è un prodotto altamente affidabile e durevole che offre un eccellente rapporto qualità-prezzo. La sua resistenza all'ossidazione alle alte temperature, il profilo termico uniforme e la prevenzione della contaminazione lo rendono ideale per la crescita dello strato epitassiale di alta qualità. Le sue basse esigenze di manutenzione e la possibilità di personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE) presenta un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

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Parametri del sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE).

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE).

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.