Suscettore a botte per epitassia in fase liquida

Se avete bisogno di un suscettore di grafite in grado di funzionare in modo affidabile e costante anche negli ambienti corrosivi e ad alta temperatura più esigenti, il suscettore a barilotto Semicorex per l'epitassia in fase liquida è la scelta perfetta. Il suo rivestimento in carburo di silicio offre un'eccellente conduttività termica e distribuzione del calore, garantendo prestazioni eccezionali nelle applicazioni di produzione di semiconduttori.

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Descrizione del prodotto

Il Semicorex Barrel Susceptor for Liquid Phase Epitaxy è la scelta ideale per le applicazioni di produzione di semiconduttori che richiedono un'elevata resistenza al calore e alla corrosione. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza e l'eccezionale conducibilità termica forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, garantendo prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

Il nostro suscettore a botte per l'epitassia in fase liquida è progettato per ottenere il miglior modello di flusso di gas laminare, garantendo l'uniformità del profilo termico. Questo aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sul chip del wafer.

Contattateci oggi per saperne di più sul nostro suscettore barilotto per l'epitassia in fase liquida.

Parametri del suscettore del barilotto per l'epitassia in fase liquida

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche del suscettore a botte per l'epitassia in fase liquida

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.