Suscettore a barilotto rivestito in SiC CVD

Il semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor è un componente meticolosamente progettato su misura per i processi di produzione avanzati di semiconduttori, in particolare l'epitassia. Costruito con precisione e innovazione, questo suscettore cilindrico rivestito in SiC CVD è progettato per facilitare la crescita epitassiale di materiali semiconduttori su wafer con efficienza e affidabilità senza pari.

Nel nucleo del Susceptor Barrel rivestito in SiC CVD si trova una robusta struttura in grafite, rinomata per la sua eccezionale conduttività termica e resistenza meccanica. Questa base in grafite funge da base robusta per il suscettore, garantendo stabilità e longevità nelle condizioni impegnative dei reattori epitassiali.

A migliorare il substrato di grafite è un rivestimento all'avanguardia di carburo di silicio (SiC) mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD). Questo rivestimento SiC specializzato viene applicato meticolosamente attraverso un processo di deposizione chimica da vapore, risultando in uno strato uniforme e durevole che ricopre la superficie di grafite. Il rivestimento CVD SiC del susceptor barile rivestito CVD SiC introduce una miriade di vantaggi fondamentali per i processi epitassiali.

Il rivestimento CVD SiC del susceptor a cilindro rivestito in SiC CVD presenta proprietà termiche eccezionali, tra cui elevata conduttività termica e stabilità termica. Queste proprietà sono fondamentali per garantire un riscaldamento uniforme e preciso dei wafer semiconduttori durante la crescita epitassiale, promuovendo così una deposizione coerente degli strati e riducendo al minimo i difetti nel prodotto finale.

Il design a forma di barile del susceptor barile rivestito CVD SiC è ottimizzato per un caricamento e uno scaricamento efficienti dei wafer, nonché per una distribuzione ottimale del calore sulla superficie del wafer. Questa caratteristica di progettazione, unita alle prestazioni superiori del rivestimento CVD SiC, garantisce un controllo del processo e una resa senza precedenti nelle operazioni di produzione epitassiale.