Deposizione epitassiale di silicio nel reattore a botte

Se avete bisogno di un suscettore di grafite ad alte prestazioni per l'uso in applicazioni di produzione di semiconduttori, il Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor è la scelta ideale. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza e l'eccezionale conduttività termica forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, rendendolo la scelta ideale per prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

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Descrizione del prodotto

Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor è un prodotto ideale per la crescita di strati epissiali su chip di wafer. È un supporto in grafite rivestito di SiC di elevata purezza che è altamente resistente al calore e alla corrosione, rendendolo perfetto per l'uso in ambienti estremi. Questo suscettore a botte è adatto per LPE e fornisce eccellenti prestazioni termiche, garantendo l'uniformità del profilo termico. Inoltre, garantisce il miglior schema di flusso laminare del gas e previene la diffusione di contaminazioni o impurità nel wafer.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. La nostra deposizione epitassiale di silicio nel reattore a botte ha un vantaggio di prezzo e viene esportata in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.

Parametri della deposizione epitassiale del silicio nel reattore a botte

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300

Caratteristiche della deposizione epitassiale di silicio nel reattore a botte

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

- Il suscettore rivestito di carburo di silicio utilizzato per la crescita di un singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza del coefficiente di espansione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazione.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.