Paletta in ceramica SiC

La pala in ceramica Semicorex SiC è una parte avanzata sviluppata per applicazioni in forni a semiconduttore ad alta temperatura come l'ossidazione e la diffusione. La paletta funge da supporto a sbalzo per trattenere e spostare i wafer ad alte temperature. La pala in ceramica Semicorex SiC fornisce componenti ceramici di elevata purezza e resistenza ai processi ad alta temperatura che richiedono affidabilità, stabilità e prestazioni impegnative durante il processo di produzione.

Le palette sono prodotte con elevata purezzacarburo di silicio (SiC), specificamente formulato per resistere agli ambienti termici e chimici difficili di un processo di produzione di semiconduttori. Quando i wafer vengono trattati mediante ossidazione e diffusione, il wafer è esposto a temperature superiori a 1000 gradi C, nonché a gas reattivi come ossigeno, vapore o atmosfere droganti. A queste temperature, l'integrità strutturale dipenderà dalla purezza del materiale.

Un'altra caratteristica importante delle pale in ceramica SiC è la loro eccellente prestazione alle alte temperature. A causa del punto di fusione del SiC di 2700+C, le palette mantengono resistenza e stabilità meccanica quando esposte a temperature elevate

perature nel tempo. La proprietà termica limita la deformazione e la rottura del materiale durante ripetuti cicli di riscaldamento e raffreddamento, garantendo al tempo stesso una lunga durata negli ambienti di produzione.

La lavorazione dei semiconduttori richiede un ambiente estremamente pulito poiché anche tracce di impurità possono influire sulla resa e sul comportamento dei dispositivi. Il materiale SiC utilizzato nelle palette è dotato di un rivestimento SiC depositato chimicamente in fase di vapore (CVD) che favorisce una purezza del materiale eccezionalmente elevata riducendo al minimo la contaminazione metallica. La paletta in ceramica SiC rimane pulita e stabile per tutta la sua durata. Come supporti a sbalzo, le pale devono fornire un supporto sicuro per i portawafer o le barchette durante l'inserimento e la rimozione dal forno. A causa diSiCGrazie alla resistenza e alla rigidità intrinseche di , possiedono buone proprietà di carico con una deflessione minima, essenziale per la corretta movimentazione e allineamento dei wafer. Nei forni di ossidazione e diffusione, le atmosfere corrosive possono attaccare e degradare nel tempo i materiali tradizionali, ma il SiC ha la capacità di mantenere la sua stabilità chimica, prolungando la vita utile della pala. Ciò si traduce in costi di manutenzione e sostituzione drasticamente ridotti, poiché le pale non necessitano di essere sostituite o riparate con la stessa frequenza.

Oltre alle prestazioni, vi è flessibilità nella personalizzazione delle pale per apparecchiature e processi specifici. Dimensioni, tolleranze e finitura superficiale possono essere rese flessibili per garantire l'adattamento tra i progetti del forno e qualsiasi altro sistema di gestione dei wafer. La capacità di raggiungere elevati livelli di precisione dimensionale con la lavorazione di precisione della ceramica consentirà inoltre di produrre palette per soddisfare geometrie complesse. L'intera gamma di funzionalità ha lo scopo di garantire un funzionamento senza interruzioni e una facile integrazione nelle linee di produzione esistenti.

Ceramica SiCle piastre, con la loro combinazione di elevata purezza, stabilità termica, resistenza meccanica e resistenza chimica, sono materiali essenziali nei processi di ossidazione e diffusione dei semiconduttori. Fornendo una piattaforma stabile e pulita per il trasferimento dei wafer, contribuiscono direttamente a migliorare la resa, la coerenza del processo e l'efficienza complessiva della produzione.