Disco epitassia rivestito in SiC

Le proprietà estese del disco epitassiale rivestito in SiC Semicorex lo rendono un componente indispensabile nella produzione di semiconduttori, dove la precisione, la durata e la robustezza delle apparecchiature sono fondamentali per il successo dei dispositivi a semiconduttore ad alta tecnologia. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di dischi epitassiali rivestiti in SiC ad alte prestazioni che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.**

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Descrizione del prodotto

Il disco epitassiale rivestito in SiC Semicorex presenta una serie di vantaggi senza precedenti nel settore dei semiconduttori, che possono essere ulteriormente elaborati come segue:

Basso coefficiente di espansione termica: il disco epitassiale rivestito in SiC vanta un coefficiente di espansione termica notevolmente basso, che è fondamentale nella lavorazione dei semiconduttori dove la stabilità dimensionale è essenziale. Questo attributo garantisce che il disco epitassiale rivestito in SiC subisca un'espansione o una contrazione minima alle variazioni di temperatura, mantenendo l'integrità della struttura del semiconduttore durante i processi ad alta temperatura.

Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: progettato con notevole resistenza all'ossidazione, questo disco epitassiale rivestito in SiC mantiene la sua integrità strutturale a temperature elevate, rendendolo un componente ideale per applicazioni all'interno di processi di semiconduttori ad alta temperatura in cui la stabilità termica è fondamentale.

Superficie densa e porosa fine: la superficie del disco epitassiale rivestito in SiC è caratterizzata da densità e porosità fine, che fornisce una struttura superficiale ottimale per l'adesione di vari rivestimenti e garantisce un'efficace rimozione del materiale durante la lavorazione dei wafer semiconduttori senza danneggiare la superficie delicata.

Elevata durezza: il rivestimento conferisce un elevato livello di durezza al disco di grafite, che è resistente ai graffi e all'usura, prolungando così la durata del disco epitassiale rivestito in SiC e riducendo la frequenza di sostituzione negli ambienti di produzione di semiconduttori.

Resistenza ad acidi, basi, sali e reagenti organici: il rivestimento CVD SiC del disco epitassiale rivestito in SiC offre un'eccellente resistenza a un'ampia gamma di agenti corrosivi, inclusi acidi, basi, sali e reagenti organici, rendendolo adatto all'uso in ambienti in cui l'esposizione chimica è un problema, migliorando così l'affidabilità e la longevità dell'apparecchiatura.

Strato superficiale Beta-SiC: lo strato superficiale SIC (carburo di silicio) del disco epitassiale rivestito in SiC è costituito da beta-SiC, che ha una struttura cristallina cubica a facce centrate (FCC). Questa struttura cristallina contribuisce alle eccezionali proprietà meccaniche e termiche del rivestimento, offrendo al disco resistenza e conduttività termica superiori, essenziali per le apparecchiature di lavorazione dei semiconduttori.