Wafer SICOI

NOI SIAMOwaferè un materiale semiconduttore composito con una struttura a tre strati realizzata utilizzando un metodo unico.

Lo strato inferiore della struttura del wafer SICOI è un substrato di silicio, che fornisce un supporto meccanico affidabile per garantire la stabilità strutturale del wafer SICOI. La sua conduttività termica ottimale riduce l'impatto dell'accumulo di calore sulle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore, consentendo loro di funzionare normalmente per lungo tempo anche ad alta potenza. Inoltre, il substrato di silicio è compatibile con le apparecchiature e i macchinari attualmente utilizzati nella produzione di semiconduttori. Ciò riduce con successo i costi e la complessità di produzione, accelerando al tempo stesso la ricerca e lo sviluppo dei prodotti e la produzione di massa.

Situato tra il substrato di silicio e lo strato del dispositivo SiC, lo strato di ossido isolante è lo strato intermedio del wafer SICOI. Isolando i percorsi di corrente tra gli strati superiore e inferiore, lo strato di ossido isolante riduce efficacemente il rischio di cortocircuiti e garantisce prestazioni elettriche stabili dei dispositivi a semiconduttore. Grazie alle sue caratteristiche di basso assorbimento, può ridurre significativamente la dispersione ottica e migliorare l'efficienza di trasmissione del segnale ottico dei dispositivi a semiconduttore.

Lo strato del dispositivo in carburo di silicio è lo strato funzionale fondamentale della struttura del wafer SICOI. È essenziale per ottenere funzioni elettroniche, fotoniche e quantistiche ad alte prestazioni grazie alla sua eccezionale resistenza meccanica, alto indice di rifrazione, bassa perdita ottica e notevole conduttività termica.

Le applicazioni dei wafer SICOI:

1.Per la produzione di dispositivi ottici non lineari come il pettine di frequenza ottica.

2.Per la produzione di chip fotonici integrati.

3.Per la produzione di modulatori elettro-ottici

4.Per la produzione di dispositivi elettronici di potenza, come interruttori di alimentazione e dispositivi RF.

5.Per la produzione di sensori MEMS come accelerometro e giroscopio.