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Anelli di messa a fuoco durevoli per l'elaborazione di semiconduttori

Anelli di messa a fuoco durevoli per l'elaborazione di semiconduttori

Gli anelli di messa a fuoco durevoli Semicorex per la lavorazione dei semiconduttori sono progettati per resistere agli ambienti estremi delle camere di incisione al plasma utilizzate nella lavorazione dei semiconduttori. I nostri anelli di messa a fuoco sono realizzati in grafite di elevata purezza rivestita con un rivestimento in carburo di silicio (SiC) denso e resistente all'usura. Il rivestimento SiC ha elevate proprietà di resistenza alla corrosione e al calore, nonché un'eccellente conduttività termica. Applichiamo SiC in strati sottili sulla grafite utilizzando il processo di deposizione chimica da vapore (CVD) per migliorare la durata dei nostri anelli di messa a fuoco.

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Descrizione del prodotto

I nostri durevoli anelli di messa a fuoco per la lavorazione dei semiconduttori sono progettati per migliorare l'uniformità dell'incisione attorno al bordo o al perimetro del wafer, riducendo al minimo la contaminazione e la manutenzione non programmata. Sono altamente stabili per la ricottura termica rapida (RTA), il trattamento termico rapido (RTP) e la pulizia chimica aggressiva.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di anelli di messa a fuoco durevoli di alta qualità ed economici per l'elaborazione dei semiconduttori, diamo la priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni convenienti. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.

Contattaci oggi per saperne di più sui nostri durevoli anelli di messa a fuoco per la lavorazione dei semiconduttori.


Parametri degli anelli di messa a fuoco durevoli per l'elaborazione dei semiconduttori

Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura di cristallo

FCC fase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

μm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Resistenza alla flessione

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curva 4pt, 1300℃)

430

Espansione termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche degli anelli di messa a fuoco durevoli per l'elaborazione dei semiconduttori

â Grafite ad alta purezza e rivestimento SiC per resistenza ai fori stenopeici e maggiore durata.

â Sia il substrato di grafite che lo strato di SiC hanno un'elevata conducibilità termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

â Il rivestimento SiC viene applicato in strati sottili per migliorare la durata.



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