Semicorex End Effector per la manipolazione dei wafer sono dimensionalmente precisi e termicamente stabili per la lavorazione dei wafer. Da molti anni siamo produttori e fornitori di elementi di rivestimento in carburo di silicio. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Semicorex End Effector per la manipolazione dei wafer sono dimensionalmente precisi e termicamente stabili, pur avendo un film di rivestimento CVD SiC liscio e resistente all'abrasione per maneggiare in sicurezza i wafer senza danneggiare i dispositivi o produrre contaminazione da particolato, che può spostare i wafer semiconduttori tra le posizioni nelle apparecchiature e nei supporti per la lavorazione dei wafer preciso ed efficiente. Il nostro rivestimento in carburo di silicio (SiC) ad alta purezza End Effector per la manipolazione dei wafer offre una resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato epi e una resistenza chimica duratura.
In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro End Effector per la movimentazione di wafer ha un prezzo vantaggioso ed è esportato in molti mercati europei e americani. Miriamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.
Parametri dell'effettore finale per la gestione dei wafer
Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura di cristallo |
FCC fase β |
|
Densità |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Granulometria |
μm |
2~10 |
Purezza chimica |
% |
99.99995 |
Capacità termica |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Resistenza alla flessione |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Modulo di Young |
Gpa (curva 4pt, 1300℃) |
430 |
Espansione termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche di End Effector per la movimentazione di wafer
Il rivestimento SiC ad alta purezza ha utilizzato il metodo CVD
Resistenza al calore superiore e uniformità termica
Fine rivestimento in cristallo SiC per una superficie liscia
Elevata durabilità contro la pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo che non si verifichino crepe e delaminazioni.