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Effettore finale per la gestione dei wafer

Effettore finale per la gestione dei wafer

Gli effettori finali Semicorex per la movimentazione dei wafer sono dimensionalmente precisi e termicamente stabili per la lavorazione dei wafer. Da molti anni siamo produttori e fornitori di elementi di rivestimento in carburo di silicio. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Gli effettori finali Semicorex per la movimentazione dei wafer sono dimensionalmente precisi e termicamente stabili, pur avendo una pellicola di rivestimento CVD SiC liscia e resistente all'abrasione per gestire in sicurezza i wafer senza danneggiare i dispositivi o produrre contaminazione da particelle, che può spostare i wafer semiconduttori tra le posizioni nelle apparecchiature e nei supporti per la lavorazione dei wafer in modo preciso ed efficiente. Il nostro effettore finale con rivestimento in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza per la gestione dei wafer offre una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato Epi e una resistenza chimica duratura.

Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di prodotti di alta qualità e convenienti ai nostri clienti. Il nostro effettore finale per la movimentazione dei wafer ha un vantaggio in termini di prezzo e viene esportato in molti mercati europei e americani. Puntiamo a essere il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di qualità costante e un servizio clienti eccezionale.


Parametri dell'effettore finale per la gestione dei wafer

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

Fase β dell'FCC

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Granulometria

µm

2~10

Purezza chimica

%

99.99995

Capacità termica

J kg-1 K-1

640

Temperatura di sublimazione

2700

Forza flessionale

MPa (RT 4 punti)

415

Modulo di Young

Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)

430

Dilatazione Termica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


Caratteristiche dell'effettore finale per la gestione dei wafer

Il rivestimento SiC ad elevata purezza ha utilizzato il metodo CVD

Resistenza al calore e uniformità termica superiori

Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia

Elevata resistenza alla pulizia chimica

Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.




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