Semicorex fornisce imbarcazioni per wafer, piedistalli e supporti per wafer personalizzati sia per configurazioni verticali/a colonna che orizzontali. Da molti anni siamo produttori e fornitori di pellicole di rivestimento in carburo di silicio. La nostra Wafer Boat per il processo di semiconduttore ha un buon vantaggio in termini di prezzo e copre la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Semicorex SiC Wafer Boat per processi a semiconduttori, la soluzione definitiva per la gestione e la protezione dei wafer nella produzione di semiconduttori. La nostra vaschetta per wafer per il processo dei semiconduttori è realizzata in carburo di silicio di alta qualità, che ha una buona resistenza alla corrosione ed un'eccellente resistenza alle alte temperature e agli shock termici. Le ceramiche avanzate offrono un'eccellente resistenza termica e durata del plasma, mitigando al contempo particelle e contaminanti per i supporti wafer ad alta capacità.
Parametri della Wafer Boat per il processo dei semiconduttori
Proprietà tecniche |
||||
Indice |
Unità |
Valore |
||
Nome del materiale |
Carburo di silicio sinterizzato a reazione |
Carburo di silicio sinterizzato senza pressione |
Carburo di silicio ricristallizzato |
|
Composizione |
RBSiC |
SSiC |
R-SiC |
|
Densità apparente |
g/cm3 |
3 |
3,15 ± 0,03 |
2,60-2,70 |
Resistenza alla flessione |
MPa (kpsi) |
338(49) |
380(55) |
80-90 (20°C) 90-100(1400°C) |
Resistenza alla compressione |
MPa (kpsi) |
1120(158) |
3970(560) |
>600 |
Durezza |
Pulsante |
2700 |
2800 |
/ |
Tenacia di rottura |
MPa·m1/2 |
4.5 |
4 |
/ |
Conducibilità termica |
W/m.k |
95 |
120 |
23 |
Coefficiente di dilatazione termica |
10-6.1/°C |
5 |
4 |
4.7 |
Calore specifico |
Joule/g 0k |
0.8 |
0.67 |
/ |
Temperatura massima nell'aria |
℃ |
1200 |
1500 |
1600 |
Modulo elastico |
GP |
360 |
410 |
240 |
Caratteristiche della Wafer Boat per il processo dei semiconduttori
Resistenza al calore e uniformità termica superiori
Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia
Elevata resistenza alla pulizia chimica
Il materiale è progettato in modo tale che non si verifichino crepe e delaminazioni.