Anelli di ingresso MOCVD

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di grafite rivestita in carburo di silicio in Cina. I nostri anelli di ingresso MOCVD hanno un buon vantaggio in termini di prezzo e coprono molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.

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Descrizione del prodotto

Semicorex fornisce anelli di ingresso MOCVD utilizzati nella deposizione e nella lavorazione dei wafer, che sono veramente stabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva. I nostri anelli di ingresso MOCVD hanno una struttura in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza, che fornisce resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme per spessore e resistenza costanti dello strato Epi e resistenza chimica duratura. Il rivestimento in cristalli SiC fini fornisce una superficie pulita e liscia, fondamentale per la manipolazione poiché i wafer incontaminati entrano in contatto con il suscettore in molti punti dell'intera area.

Noi di Semicorex ci concentriamo sulla fornitura di anelli di ingresso MOCVD di alta qualità ed economici, diamo priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni economicamente vantaggiose. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.

Parametri degli anelli di ingresso MOCVD

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J kg-1 K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300