Anelli di ingresso MOCVD

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di grafite rivestita di carburo di silicio in Cina. I nostri anelli di ingresso MOCVD hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.

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Descrizione del prodotto

Semicorex fornisce MOCVD Inlet Rings utilizzati nella deposizione e nella lavorazione dei wafer, che è veramente stabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva. I nostri anelli di ingresso MOCVD hanno una struttura in grafite rivestita di carburo di silicio (SiC) di elevata purezza, che fornisce una resistenza al calore superiore, uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato epi e una resistenza chimica duratura. Il sottile rivestimento in cristallo SiC fornisce una superficie pulita e liscia, fondamentale per la manipolazione poiché i wafer incontaminati entrano in contatto con il suscettore in molti punti dell'intera area.

In Semicorex, ci concentriamo sulla fornitura di anelli di ingresso MOCVD di alta qualità e convenienti, diamo la priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni convenienti. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.

Parametri degli anelli di ingresso MOCVD

Principali specifiche del rivestimento CVD-SIC
Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	FCC fase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	Î¼m	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Espansione termica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300