Semicorex CVD SiC Coated Graphite Susceptor, è uno strumento specializzato utilizzato nella manipolazione e lavorazione di wafer semiconduttori. Il suscettore svolge un ruolo cruciale nel facilitare la crescita di film sottili, strati epitassiali e altri rivestimenti su substrati con un controllo preciso sulla temperatura e sulle proprietà del materiale. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Il suscettore in grafite rivestito SiC CVD è un componente meticolosamente progettato per creare un ambiente termico ottimale per la deposizione controllata di pellicole sottili e rivestimenti su wafer semiconduttori o altri materiali di substrato. Si tratta di un elemento critico all'interno di un reattore CVD, poiché funge sia da fonte di calore che da piattaforma per trattenere e posizionare i substrati durante il processo di deposizione.
Vantaggi:
Deposizione precisa: il suscettore in grafite rivestito in SiC CVD consente la deposizione controllata e precisa di pellicole e rivestimenti sottili, garantendo risultati riproducibili e di alta qualità.
Contaminazione ridotta: il rivestimento SiC riduce al minimo il rischio di contaminazione da parte del suscettore stesso, garantendo la purezza dei materiali depositati.
Longevità e durata: il rivestimento SiC migliora la resistenza del suscettore all'ossidazione e alle reazioni chimiche, contribuendo alla sua longevità e affidabilità nell'uso prolungato.



Suscettore in grafite rivestito in SiC per MOCVD
Suscettore MOCVD rivestito in SiC
Suscettore MOCVD per crescita epitassiale
Piastra disco stellare di copertura MOCVD per epitassia wafer
Piattaforma satellitare in grafite MOCVD rivestita in SiC