La polvere di carburo di silicio (SiC) di tipo N Semicorex è un materiale SiC drogato di elevata purezza, progettato specificamente per applicazioni avanzate di crescita dei cristalli. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
La polvere di carburo di silicio (SiC) di tipo N Semicorex è un materiale SiC drogato di elevata purezza, progettato specificamente per applicazioni avanzate di crescita dei cristalli. Questa polvere di carburo di silicio di tipo N è caratterizzata da proprietà elettriche e integrità strutturale superiori, che la rendono la scelta ideale per la produzione di cristalli di carburo di silicio utilizzati in vari dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni.
La polvere di carburo di silicio di tipo N è drogata con azoto (N), che introduce ulteriori elettroni liberi nel reticolo cristallino del SiC, migliorandone la conduttività elettrica. Questo drogaggio di tipo N è fondamentale per le applicazioni che richiedono proprietà elettroniche precise. La polvere di carburo di silicio di tipo N viene sottoposta a rigorosi processi di purificazione per raggiungere un elevato livello di purezza, riducendo al minimo la presenza di impurità che potrebbero influenzare il processo di crescita dei cristalli e le prestazioni del prodotto finale.
La polvere di carburo di silicio di tipo N Semicorex è costituita da particelle fini e di dimensioni uniformi che promuovono una crescita uniforme dei cristalli e migliorano la qualità complessiva dei cristalli di carburo di silicio.
Utilizzata principalmente nella crescita dei cristalli di carburo di silicio, questa polvere di carburo di silicio di tipo N è parte integrante della produzione di dispositivi elettronici ad alta potenza, sensori ad alta temperatura e vari componenti optoelettronici. È adatto anche per l'uso nella ricerca e sviluppo nel settore dei semiconduttori.
Caratteristiche
Modello | Purezza | Densità dell'imballaggio | D10 | D50 | D90 |
SiC-N-S | >6N | <1,7 g/cm3 | 100μm | 300μm | 500μm |
SiC-N-M | >6N | <1,3 g/cm3 | 500μm | 1000μm | 2000μm |
SiC-N-L | >6N | <1,3 g/cm3 | 1000μm | 1500μm | 2500μm |
Applicazioni:
Crescita dei cristalli di carburo di silicio: utilizzato come materiale di partenza per la crescita di cristalli SiC di alta qualità.
Dispositivi a semiconduttore: ideali per componenti elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza.
Elettronica per alte temperature: adatta per applicazioni che richiedono prestazioni robuste in condizioni estreme.
Optoelettronica: utilizzata in dispositivi che richiedono proprietà termiche ed elettriche eccezionali.