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Polvere di carburo di silicio di tipo N

Polvere di carburo di silicio di tipo N

La polvere di carburo di silicio (SiC) di tipo N Semicorex è un materiale SiC drogato di elevata purezza, progettato specificamente per applicazioni avanzate di crescita dei cristalli. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

La polvere di carburo di silicio (SiC) di tipo N Semicorex è un materiale SiC drogato di elevata purezza, progettato specificamente per applicazioni avanzate di crescita dei cristalli. Questa polvere di carburo di silicio di tipo N è caratterizzata da proprietà elettriche e integrità strutturale superiori, che la rendono la scelta ideale per la produzione di cristalli di carburo di silicio utilizzati in vari dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni.

La polvere di carburo di silicio di tipo N è drogata con azoto (N), che introduce ulteriori elettroni liberi nel reticolo cristallino del SiC, migliorandone la conduttività elettrica. Questo drogaggio di tipo N è fondamentale per le applicazioni che richiedono proprietà elettroniche precise. La polvere di carburo di silicio di tipo N viene sottoposta a rigorosi processi di purificazione per raggiungere un elevato livello di purezza, riducendo al minimo la presenza di impurità che potrebbero influenzare il processo di crescita dei cristalli e le prestazioni del prodotto finale.

La polvere di carburo di silicio di tipo N Semicorex è costituita da particelle fini e di dimensioni uniformi che promuovono una crescita uniforme dei cristalli e migliorano la qualità complessiva dei cristalli di carburo di silicio.

Utilizzata principalmente nella crescita dei cristalli di carburo di silicio, questa polvere di carburo di silicio di tipo N è parte integrante della produzione di dispositivi elettronici ad alta potenza, sensori ad alta temperatura e vari componenti optoelettronici. È adatto anche per l'uso nella ricerca e sviluppo nel settore dei semiconduttori.


Caratteristiche

Modello Purezza Densità dell'imballaggio D10 D50 D90
SiC-N-S >6N <1,7 g/cm3 100μm 300μm 500μm
SiC-N-M >6N <1,3 g/cm3 500μm 1000μm 2000μm
SiC-N-L >6N <1,3 g/cm3 1000μm 1500μm 2500μm



Applicazioni:

Crescita dei cristalli di carburo di silicio: utilizzato come materiale di partenza per la crescita di cristalli SiC di alta qualità.

Dispositivi a semiconduttore: ideali per componenti elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza.

Elettronica per alte temperature: adatta per applicazioni che richiedono prestazioni robuste in condizioni estreme.

Optoelettronica: utilizzata in dispositivi che richiedono proprietà termiche ed elettriche eccezionali.







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