Il Semicorex Susceptor Disc è uno strumento indispensabile nella deposizione di vapori chimici metallo-organici (MOCVD), specificamente progettato per supportare e riscaldare wafer semiconduttori durante il processo critico di deposizione dello strato epitassiale. Il Susceptor Disc è determinante nella produzione di dispositivi a semiconduttore, dove la crescita precisa dello strato è fondamentale. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.
Realizzato in grafite di elevata purezza e rivestito con uno strato di carburo di silicio (SiC) utilizzando la tecnica MOCVD, il semicorex susceptor disc combina eccezionali proprietà termiche con notevole stabilità chimica. Il rivestimento in carburo di silicio garantisce un'eccellente resistenza alle alte temperature e alle condizioni corrosive, fondamentale per mantenere l'integrità del disco susceptor in ambienti difficili.
Inoltre, il rivestimento SiC sul disco susceptor ne migliora la conduttività termica, consentendo una distribuzione rapida e uniforme del calore, fondamentale per una crescita epitassiale costante. Assorbe e irradia efficacemente il calore, fornendo una temperatura stabile e uniforme essenziale per la deposizione di film sottili. Questa uniformità è vitale per ottenere strati epitassiali di alta qualità, fondamentali per la funzionalità e le prestazioni dei dispositivi semiconduttori avanzati.
Il design del Susceptor Disc affronta anche la sfida dell'espansione termica. Il suo minimo coefficiente di dilatazione termica garantisce un forte legame con gli strati epitassiali, riducendo il rischio di fessurazioni dovute ai cicli termici. Questa caratteristica, unita all'elevato punto di fusione del Susceptor Disc e all'eccellente resistenza all'ossidazione, consente un funzionamento affidabile in condizioni estreme.
Con queste proprietà avanzate, il Susceptor Disc non solo soddisfa ma supera i severi requisiti delle moderne applicazioni MOCVD, fornendo una soluzione affidabile e ad alte prestazioni che migliora l'efficienza complessiva e il rendimento del processo di crescita epitassiale.