Anello di messa a fuoco SiC

L'anello di messa a fuoco Semicorex SiC è un componente a forma di anello progettato con precisione, prodotto in carburo di silicio di elevata purezza. L'anello di messa a fuoco SiC è progettato per applicazioni avanzate di elaborazione dei semiconduttori. Il carburo di silicio ad elevata purezza offre prestazioni eccellenti in termini di stabilità termica (alto punto di fusione), durata meccanica (elevata durezza) e proprietà di conduzione elettrica, fondamentali per soddisfare le specifiche di molte tecnologie di fabbricazione di wafer di prossima generazione. Gli anelli di messa a fuoco SiC sono componenti presenti nei componenti della camera di deposizione e di incisione al plasma e svolgono un ruolo essenziale nel controllo della distribuzione del plasma, nel raggiungimento dell'uniformità dei wafer e nella resa nella produzione di massa.

La purezza del materiale e le prestazioni elettriche del Focus Ring SiC sono alcuni dei fattori più critici che definiscono questo componente e lo differenziano dai materiali ceramici. Elevata purezzacarburo di silicioè diverso dai materiali ceramici tradizionali, poiché fornisce una combinazione di 

durezza, resistenza a molti prodotti chimici e proprietà elettriche uniche. In particolare, cosa ancora più importante, il carburo di silicio di elevata purezza può essere progettato utilizzando droganti e metodi di lavorazione per produrre i livelli più adatti di prestazioni conduttive o isolanti con l’equilibrio semiconduttore ideale per interagire con il plasma, consentendo prestazioni stabili in ambienti ad alta energia dove l’accumulo di carica e lo squilibrio elettrico hanno maggiori probabilità di causare errori di processo.

A causa dell'effetto bordo del plasma, la densità è maggiore al centro e minore ai bordi. L'anello di messa a fuoco, attraverso la sua forma anulare e le proprietà del materiale CVD SiC, genera un campo elettrico specifico. Questo campo guida e confina le particelle cariche (ioni ed elettroni) nel plasma sulla superficie del wafer, in particolare sui bordi. Ciò aumenta effettivamente la densità del plasma ai bordi, avvicinandolo a quella al centro. Ciò migliora significativamente l'uniformità dell'incisione sul wafer, riduce i danni ai bordi e aumenta la resa.

Mercury Manufacturing elabora l'anello di messa a fuoco SiC utilizzando sofisticati processi di lavorazione e lucidatura che raggiungono tolleranze dimensionali strette e una finitura superficiale liscia. L'accuratezza dimensionale di questi componenti consente la compatibilità con i vari fornitori di apparecchiature per semiconduttori per garantire l'intercambiabilità tra molti sistemi di incisione e deposizione al plasma. È inoltre possibile sviluppare progetti personalizzati per soddisfare requisiti di processo specifici, tra cui spessore dell'anello, diametro interno ed esterno e livelli di conduttività superficiale.

Le applicazioni del Focus Ring SiC coprono un'ampia gamma nella fabbricazione di semiconduttori: DRAM, flash NAND, dispositivi logici e nuove tecnologie di semiconduttori di potenza. Man mano che le geometrie dei dispositivi si restringono e continuano ad avanzare attraverso i nodi del processo, la necessità di componenti della camera stabili e altamente affidabili come il SiC Focus Ring diventa fondamentale. Il Focus Ring SiC offre un controllo esatto del plasma e migliora costantemente la qualità dei wafer, promuovendo le ambizioni del settore verso dispositivi elettronici sempre più piccoli, veloci ed efficienti. Semicorex SiC Focus Ring definisce il punto di intersezione tra scienza dei materiali, ingegneria di precisione ed evoluzione dei processi dei semiconduttori. L'anello di messa a fuoco SiC ha un'eccellente stabilità termica, resistenza chimica superiore e conduttività elettrica quasi specifica. Queste caratteristiche lo rendono un componente critico nel garantire affidabilità e resa durante i processi.