Suscettore cilindrico rivestito in SiC per wafer epitassiale

Cerchi un suscettore in grafite con distribuzione del calore e conduttività termica eccezionali? Non cercare oltre il suscettore cilindrico rivestito in SiC Semicorex per wafer epitassiale, rivestito con SiC di elevata purezza per prestazioni superiori nei processi epitassiali e in altre applicazioni di produzione di semiconduttori.
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Parametri del suscettore cilindrico rivestito in SiC per wafer epitassiale

Caratteristiche del suscettore cilindrico rivestito in SiC per wafer epitassiale

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno una buona densità e possono svolgere un buon ruolo protettivo in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

- Il suscettore rivestito in carburo di silicio utilizzato per la crescita del singolo cristallo ha una planarità superficiale molto elevata.

- Ridurre la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e lo strato di carburo di silicio, migliorare efficacemente la forza di adesione per prevenire fessurazioni e delaminazioni.

- Sia il substrato di grafite che lo strato di carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore.

- Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione.