Suscettori epitassiali rivestiti in SiC

Semiconduttoresubstratinon può essere posizionato direttamente sulla base in apparecchiature MOCVD o CVD durante la deposizione epitassiale a causa dell'impatto di molteplici fattori critici, tra cui la direzione del flusso del gas (orizzontale e verticale), la temperatura, la pressione, il fissaggio del substrato e la contaminazione da particolato. Per questo motivo, nei sistemi MOCVD/CVD i suscettori epitassiali devono essere posizionati al centro della camera di reazione per supportare e fissare i substrati semiconduttori, prevenendo così il degrado della qualità della crescita epitassiale causato da vibrazioni o spostamento di posizione.

Come materiale della matrice per Semicorex viene utilizzata grafite di elevata purezzaSuscettori epitassiali rivestiti in SiC, con il rivestimento in carburo di silicio depositato sulla loro superficie mediante le avanzate tecniche CVD. I suscettori epitassiali rivestiti in SiC Semicorex sono i componenti indispensabili nel processo di formazione dello strato epitassiale. Il loro ruolo principale è quello di fornire un ambiente operativo stabile e controllabile per la crescita degli strati epitassiali su substrati semiconduttori, che in tal modo può garantire la consistenza della qualità della superficie del wafer.

Le caratteristiche dei suscettori epitassiali rivestiti in SiC Semicorex

1. Eccezionale resistenza alle alte temperature per resistere a condizioni operative di 1600 ℃.

2. Elevata conduttività termica, che garantisce un rapido trasferimento di calore per mantenere una distribuzione uniforme della temperatura sui substrati semiconduttori.

3. Forte resistenza alla corrosione chimica per resistere alla degradazione chimica e alla corrosione, evitando la contaminazione del processo di substrati e strati epitassiali.

4. Resistenza superiore agli shock termici per evitare il verificarsi di crepe e delaminazioni del rivestimento.

5. Eccezionale planarità della superficie, che si adatta perfettamente ai substrati riducendo al minimo gli spazi vuoti e i difetti.

6. Vita utile più lunga, riduzione dei tempi e delle perdite economiche causate dalla sostituzione e dalla manutenzione delle parti.

Le applicazioni dei suscettori epitassiali rivestiti in SiC Semicorex

Con molteplici ed eccellenti vantaggi, i suscettori epitassiali rivestiti in SiC Semicorex svolgono un ruolo fondamentale nel facilitare la crescita uniforme e controllabile dei film sottili epitassiali e sono ampiamente applicati nel processo di crescita epitassiale dei semiconduttori.

Crescita epitassiale 1.GaN

2.Crescita epitassiale SiC

3.Si crescita epitassiale