I suscettori per reattori MOCVD di Semicorex sono prodotti di alta qualità utilizzati nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni come strati di carburo di silicio e semiconduttori epitassia. Il nostro prodotto è disponibile nella forma di ingranaggio o anello ed è progettato per ottenere resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, rendendolo stabile a temperature fino a 1600°C.
I nostri suscettori per reattori MOCVD sono realizzati mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura, garantendo un'elevata purezza. La superficie del prodotto è densa, con particelle fini ed elevata durezza, che lo rendono resistente alla corrosione da acidi, alcali, sale e reagenti organici.
I nostri suscettori per reattori MOCVD sono progettati per garantire il rivestimento su tutte le superfici, evitando il distacco e ottenendo il miglior modello di flusso di gas laminare. Il prodotto garantisce uniformità del profilo termico e previene qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità durante il processo, garantendo risultati di alta qualità.
In Semicorex, diamo priorità alla soddisfazione del cliente e forniamo soluzioni economicamente vantaggiose. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine, offrendo prodotti di alta qualità e un servizio clienti eccezionale.
Parametri dei suscettori per reattori MOCVD
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Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC |
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Proprietà SiC-CVD |
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Struttura cristallina |
Fase β dell'FCC |
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Densità |
g/cm³ |
3.21 |
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Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
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Granulometria |
µm |
2~10 |
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Purezza chimica |
% |
99.99995 |
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Capacità termica |
J kg-1 K-1 |
640 |
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Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
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Forza flessionale |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
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Modulo di Young |
Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) |
430 |
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Dilatazione Termica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
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Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Caratteristiche del suscettore in grafite rivestito in SiC per MOCVD
- Evitare il distacco e garantire il rivestimento su tutta la superficie
Resistenza all'ossidazione alle alte temperature: Stabile alle alte temperature fino a 1600°C
Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica di vapore CVD in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: elevata durezza, superficie densa e particelle fini.
Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
- Ottieni il miglior modello di flusso di gas laminare
- Garantire l'uniformità del profilo termico
- Evitare qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità





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Suscettore in grafite rivestito in SiC per MOCVD
Suscettore MOCVD rivestito in SiC
Suscettore MOCVD per crescita epitassiale
Piastra disco stellare di copertura MOCVD per epitassia wafer
Piattaforma satellitare in grafite MOCVD rivestita in SiC