Come produttori professionali, vorremmo fornirvi l'epitassia SiC. E ti offriremo il miglior servizio post-vendita e consegne puntuali. Semicorex fornisce suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio CVD utilizzato per supportare i wafer. La loro struttura in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza fornisce una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato Epi e una resistenza chimica duratura. Il rivestimento in cristalli SiC fini fornisce una superficie pulita e liscia, fondamentale per la manipolazione poiché i wafer incontaminati entrano in contatto con il suscettore in molti punti dell'intera area.
Semicorex presenta il suo suscettore a disco SiC, progettato per migliorare le prestazioni delle apparecchiature per l'epitassia, la deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) e il trattamento termico rapido (RTP). Il suscettore del disco SiC meticolosamente progettato offre proprietà che garantiscono prestazioni, durata ed efficienza superiori in ambienti ad alta temperatura e sotto vuoto.**
Per saperne di piùInvia richiestaIl suscettore Semicorex SiC ALD offre numerosi vantaggi nei processi ALD, tra cui stabilità alle alte temperature, maggiore uniformità e qualità della pellicola, migliore efficienza del processo e durata prolungata del suscettore. Questi vantaggi rendono il susceptor SiC ALD uno strumento prezioso per ottenere film sottili ad alte prestazioni in varie applicazioni impegnative.**
Per saperne di piùInvia richiestaIl suscettore planetario Semicorex ALD è importante nelle apparecchiature ALD grazie alla loro capacità di resistere a condizioni di lavorazione difficili, garantendo la deposizione di film di alta qualità per una varietà di applicazioni. Poiché la domanda di dispositivi semiconduttori avanzati con dimensioni più piccole e prestazioni migliorate continua a crescere, si prevede che l'uso del suscettore planetario ALD nell'ALD si espanderà ulteriormente.**
Per saperne di piùInvia richiestaIl suscettore epitassia Semicorex MOCVD è emerso come un componente critico nell'epitassia della deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD), consentendo la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni con efficienza e precisione eccezionali. La sua combinazione unica di proprietà del materiale lo rende perfettamente adatto agli ambienti termici e chimici impegnativi incontrati durante la crescita epitassiale dei semiconduttori composti.**
Per saperne di piùInvia richiestaSemicorex SiC Multi Pocket Susceptor rappresenta una tecnologia abilitante fondamentale nella crescita epitassiale di wafer semiconduttori di alta qualità. Realizzati attraverso un sofisticato processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD), questi suscettori forniscono una piattaforma robusta e ad alte prestazioni per ottenere un'eccezionale uniformità dello strato epitassiale ed efficienza del processo.**
Per saperne di piùInvia richiestaLe proprietà estese del disco epitassiale rivestito in SiC Semicorex lo rendono un componente indispensabile nella produzione di semiconduttori, dove la precisione, la durata e la robustezza delle apparecchiature sono fondamentali per il successo dei dispositivi a semiconduttore ad alta tecnologia. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di dischi epitassiali rivestiti in SiC ad alte prestazioni che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.**
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