Come produttori professionali, vorremmo fornirvi l'epitassia SiC. E ti offriremo il miglior servizio post-vendita e consegne puntuali. Semicorex fornisce suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio CVD utilizzato per supportare i wafer. La loro struttura in grafite rivestita in carburo di silicio (SiC) di elevata purezza fornisce una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme per uno spessore e una resistenza costanti dello strato Epi e una resistenza chimica duratura. Il rivestimento in cristalli SiC fini fornisce una superficie pulita e liscia, fondamentale per la manipolazione poiché i wafer incontaminati entrano in contatto con il suscettore in molti punti dell'intera area.
La piastra Semicorex per la crescita epitassiale rappresenta un elemento critico appositamente progettato per soddisfare le complessità dei processi epitassiali. Personalizzabile per soddisfare specifiche e preferenze distinte, la nostra offerta offre una soluzione su misura che si adatta perfettamente alle vostre esigenze operative specifiche. Offriamo una gamma di opzioni di personalizzazione, dalle modifiche dimensionali alle variazioni nell'applicazione del rivestimento, permettendoci di progettare e fornire un prodotto in grado di migliorare le prestazioni in vari scenari applicativi. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di piastre ad alte prestazioni per la crescita epitassiale che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.
Per saperne di piùInvia richiestail Semicorex Wafer Carrier per MOCVD, realizzato per le precise esigenze della deposizione di vapori chimici organici metallici (MOCVD), emerge come uno strumento indispensabile nella lavorazione di Si o SiC monocristallino per circuiti integrati su larga scala. La composizione del supporto wafer per MOCVD vanta purezza senza pari, resistenza a temperature elevate e ambienti corrosivi e proprietà di tenuta superiori per mantenere un'atmosfera incontaminata. Noi di Semicorex ci dedichiamo alla produzione e alla fornitura di portawafer ad alte prestazioni per MOCVD che fondono la qualità con l'efficienza dei costi.
Per saperne di piùInvia richiestaL'anello guida Semicorex SiC è progettato per ottimizzare il processo di crescita del singolo cristallo. La sua eccezionale conduttività termica garantisce una distribuzione uniforme del calore, contribuendo alla formazione di cristalli di alta qualità con maggiore purezza e integrità strutturale. L'impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i requisiti di trasporto dei wafer semiconduttori.
Per saperne di piùInvia richiestaIl susceptor Semicorex Epi-SiC, un componente progettato con meticolosa attenzione ai dettagli, è indispensabile per la fabbricazione di semiconduttori all'avanguardia, soprattutto nelle applicazioni epitassiali. Il design del susceptor Epi-SiC, che incarna precisione e innovazione, supporta la deposizione epitassiale di materiali semiconduttori su wafer, garantendo efficienza e affidabilità eccezionali nelle prestazioni. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.
Per saperne di piùInvia richiestaIl Semicorex Susceptor Disc è uno strumento indispensabile nella deposizione di vapori chimici metallo-organici (MOCVD), specificamente progettato per supportare e riscaldare wafer semiconduttori durante il processo critico di deposizione dello strato epitassiale. Il Susceptor Disc è determinante nella produzione di dispositivi a semiconduttore, dove la crescita precisa dello strato è fondamentale. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.
Per saperne di piùInvia richiestaRealizzato con precisione e progettato per l'affidabilità, il suscettore epitassiale SiC presenta un'elevata resistenza alla corrosione, un'elevata conduttività termica, resistenza allo shock termico ed elevata stabilità chimica, che gli consente di funzionare efficacemente all'interno di un'atmosfera epitassiale. Pertanto, il suscettore epitassiale SiC è considerato un nucleo e componente cruciale nelle apparecchiature MOCVD. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
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