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Supporto per incisione PSS rivestito in SiC

Supporto per incisione PSS rivestito in SiC

I supporti per wafer utilizzati nella crescita epissiale e nella lavorazione della movimentazione dei wafer devono resistere a temperature elevate e a una pulizia chimica aggressiva. Supporto per incisione PSS rivestito in SiC Semicorex progettato specificamente per queste impegnative applicazioni di apparecchiature per epitassia. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Suscettore cilindrico rivestito in SiC per crescita epitassiale LPE

Suscettore cilindrico rivestito in SiC per crescita epitassiale LPE

Il suscettore cilindrico rivestito in SiC Semicorex per la crescita epitassiale LPE è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso del gas laminare e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita di strati epitassiali di alta qualità su chip wafer. La sua personalizzazione e la sua convenienza lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Sistema Epi ricevitore a canna

Sistema Epi ricevitore a canna

Semicorex Barrel Susceptor Epi System è un prodotto di alta qualità che offre un'adesione superiore del rivestimento, elevata purezza e resistenza all'ossidazione alle alte temperature. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso di gas laminare e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita degli strati epissiali sui chip wafer. La sua convenienza e la possibilità di personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE).

Sistema di reattori per epitassia in fase liquida (LPE).

Il sistema reattore Semicorex per epitassia in fase liquida (LPE) è un prodotto innovativo che offre eccellenti prestazioni termiche, un profilo termico uniforme e un'adesione superiore del rivestimento. La sua elevata purezza, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e resistenza alla corrosione lo rendono la scelta ideale per l'uso nell'industria dei semiconduttori. Le sue opzioni personalizzabili e il rapporto costo-efficacia lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile

Deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile

Semicorex CVD Deposition In Barrel Reactor è un prodotto altamente durevole e affidabile per la crescita di strati epissiali su chip wafer. La sua resistenza all'ossidazione alle alte temperature e l'elevata purezza lo rendono adatto all'uso nell'industria dei semiconduttori. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita dello strato epissiale di alta qualità.

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Deposizione epitassiale di silicio nel reattore a barile

Deposizione epitassiale di silicio nel reattore a barile

Se avete bisogno di un suscettore in grafite ad alte prestazioni da utilizzare in applicazioni di produzione di semiconduttori, il reattore a deposizione epitassiale in barile di silicio Semicorex è la scelta ideale. Il rivestimento SiC di elevata purezza e l'eccezionale conduttività termica forniscono proprietà di protezione e distribuzione del calore superiori, rendendolo la scelta ideale per prestazioni affidabili e costanti anche negli ambienti più difficili.

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