> Notizia

Notizia

Infineon presenta il primo wafer GaN di potenza da 300 mm al mondo

Recentemente, Infineon Technologies ha annunciato lo sviluppo di successo della prima tecnologia al mondo per wafer al nitruro di gallio (GaN) da 300 mm.

Per saperne di più

Produzione di silicio monocristallino

I tre metodi principali utilizzati nella produzione del silicio monocristallino sono il metodo Czochralski (CZ), il metodo Kyropoulos e il metodo Float Zone (FZ).

Per saperne di più

Ossidazione nella lavorazione dei semiconduttori

I processi di ossidazione svolgono un ruolo fondamentale nel prevenire tali problemi creando uno strato protettivo sul wafer, noto come strato di ossido, che funge da barriera tra diversi prodotti chimici.

Per saperne di più

Analisi delle applicazioni e delle prospettive di sviluppo dei ceramici SiC nei settori dei semiconduttori e del fotovoltaico

Il carburo di silicio (SiC), in quanto importante materiale ceramico di fascia alta, ha proprietà eccellenti come resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, resistenza all'usura, resistenza meccanica alle alte temperature e resistenza all'ossidazione. Queste proprietà lo rendono m......

Per saperne di più

Perché scegliere la sinterizzazione senza pressione per la preparazione della ceramica SiC?

La temperatura di sintesi ultraelevata e la difficoltà di ottenere una sinterizzazione densa delle ceramiche SiC ne hanno limitato lo sviluppo. Il processo di sinterizzazione è fondamentale per la ceramica SiC.

Per saperne di più

Cos'è il nitruro di silicio

Il nitruro di silicio (Si3N4) è un materiale chiave nello sviluppo di ceramiche strutturali avanzate ad alta temperatura.

Per saperne di più

<...3 4 5 6 7...30 >