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Vantaggi del rivestimento TAC nella crescita a cristallo singolo SIC

Attualmente, il carburo di silicio domina la terza generazione di semiconduttori. Nella struttura dei costi dei dispositivi in carburo di silicio, i substrati rappresentano il 47%e l'epitassia contribuisce al 23%. Insieme, questi due componenti rappresentano circa il 70% dei costi di produzione co......

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Applicazioni del carburo di silicio

Tra i componenti principali dei veicoli elettrici, i moduli di potenza automobilistici, che utilizzano principalmente la tecnologia IGBT, svolgono un ruolo cruciale. Questi moduli non solo determinano le prestazioni chiave del sistema di azionamento elettrico, ma rappresentano anche oltre il 40% del......

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Le prospettive di applicazione dei substrati in carburo di silicio da 12 pollici

Il carburo di silicio (SiC), in quanto materiale semiconduttore ad ampio gap di banda, offre vantaggi senza precedenti nelle applicazioni ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza.

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Metodo Czochralski

I wafer vengono tagliati da aste di cristallo, che sono prodotte da materiali intrinseci policristallini e puri non drogati. Il processo di trasformazione del materiale policristallino in cristalli singoli attraverso la fusione e la ricristallizzazione è noto come crescita dei cristalli. Attualmente......

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Produzione di wafer

I wafer sono materie prime essenziali per circuiti integrati, dispositivi di potenza e dispositivi discreti a semiconduttore. Oltre il 90% dei circuiti integrati è prodotto utilizzando wafer di elevata purezza e qualità. La qualità e la capacità di fornitura di questi wafer all'interno del settore s......

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Quali sfide sono coinvolte nella produzione di SiC?

Nel panorama dei materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, il carburo di silicio (SiC) è emerso come un materiale molto apprezzato, particolarmente eccellente nel campo della conversione ad alta potenza.

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