Per soddisfare i requisiti di alta qualità dei processi di circuiti di chip IC con larghezze di linea inferiori a 0,13 μm fino a 28 nm per wafer di lucidatura in silicio da 300 mm di diametro, è essenziale ridurre al minimo la contaminazione da impurità, come gli ioni metallici, sulla superficie del......
Per saperne di piùMentre il mondo è alla ricerca di nuove opportunità nel campo dei semiconduttori, il nitruro di gallio (GaN) continua a distinguersi come potenziale candidato per future applicazioni di potenza e RF. Tuttavia, nonostante i suoi numerosi vantaggi, il GaN deve affrontare una sfida significativa: l’as......
Per saperne di piùLa lucidatura della superficie dei wafer di silicio è un processo cruciale nella produzione di semiconduttori. Il suo obiettivo principale è raggiungere standard estremamente elevati di planarità e ruvidità della superficie rimuovendo microdifetti, strati di danni da stress e contaminazione da impur......
Per saperne di piùLa cella unitaria cristallina di base del silicio monocristallino è la struttura della blenda di zinco, in cui ciascun atomo di silicio si lega chimicamente con quattro atomi di silicio vicini. Questa struttura si trova anche nei diamanti al carbonio monocristallini.
Per saperne di piùI cristalli singoli di carburo di silicio (SiC) vengono prodotti principalmente utilizzando il metodo di sublimazione. Dopo aver rimosso il cristallo dal crogiolo, sono necessarie diverse fasi di lavorazione complesse per creare wafer utilizzabili.
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