Gli strati spessi e di elevata purezza di carburo di silicio (SiC), in genere superiori a 1 mm, sono componenti critici in varie applicazioni di alto valore, tra cui la fabbricazione di semiconduttori e le tecnologie aerospaziali. Questo articolo approfondisce il processo di deposizione chimica in f......
Per saperne di piùLa deposizione chimica da fase vapore (CVD) è una tecnica versatile di deposizione di film sottile ampiamente utilizzata nell'industria dei semiconduttori per fabbricare film sottili conformi e di alta qualità su vari substrati. Questo processo prevede reazioni chimiche di precursori gassosi su una ......
Per saperne di piùQuesto articolo approfondisce l'utilizzo e la traiettoria futura delle imbarcazioni in carburo di silicio (SiC) in relazione alle imbarcazioni al quarzo nell'industria dei semiconduttori, concentrandosi in particolare sulle loro applicazioni nella produzione di celle solari.
Per saperne di piùLa crescita del wafer epitassiale al nitruro di gallio (GaN) è un processo complesso, che spesso utilizza un metodo in due fasi. Questo metodo prevede diverse fasi critiche, tra cui la cottura ad alta temperatura, la crescita dello strato tampone, la ricristallizzazione e la ricottura. Controllando ......
Per saperne di piùSia i wafer epitassiali che quelli diffusi sono materiali essenziali nella produzione di semiconduttori, ma differiscono in modo significativo nei processi di fabbricazione e nelle applicazioni target. Questo articolo approfondisce le principali distinzioni tra questi tipi di wafer.
Per saperne di piùL'incisione è un processo essenziale nella produzione di semiconduttori. Questo processo può essere classificato in due tipi: incisione a secco e incisione a umido. Ciascuna tecnica presenta vantaggi e limiti, per cui è fondamentale comprenderne le differenze. Quindi, come si sceglie il miglior meto......
Per saperne di più