La crescita del wafer epitassiale al nitruro di gallio (GaN) è un processo complesso, che spesso utilizza un metodo in due fasi. Questo metodo prevede diverse fasi critiche, tra cui la cottura ad alta temperatura, la crescita dello strato tampone, la ricristallizzazione e la ricottura. Controllando ......
Per saperne di piùSia i wafer epitassiali che quelli diffusi sono materiali essenziali nella produzione di semiconduttori, ma differiscono in modo significativo nei processi di fabbricazione e nelle applicazioni target. Questo articolo approfondisce le principali distinzioni tra questi tipi di wafer.
Per saperne di piùL'incisione è un processo essenziale nella produzione di semiconduttori. Questo processo può essere classificato in due tipi: incisione a secco e incisione a umido. Ciascuna tecnica presenta vantaggi e limiti, per cui è fondamentale comprenderne le differenze. Quindi, come si sceglie il miglior meto......
Per saperne di piùGli attuali semiconduttori di terza generazione sono basati principalmente sul carburo di silicio, con i substrati che rappresentano il 47% dei costi dei dispositivi e l’epitassia che rappresenta il 23%, per un totale di circa il 70% e costituisce la parte più cruciale dell’industria manifatturiera ......
Per saperne di piùLe ceramiche al carburo di silicio offrono numerosi vantaggi nel settore delle fibre ottiche, tra cui stabilità alle alte temperature, basso coefficiente di dilatazione termica, bassa soglia di perdita e danneggiamento, resistenza meccanica, resistenza alla corrosione, buona conduttività termica e b......
Per saperne di piùLa storia del carburo di silicio (SiC) risale al 1891, quando Edward Goodrich Acheson lo scoprì accidentalmente mentre tentava di sintetizzare diamanti artificiali. Acheson riscaldò una miscela di argilla (alluminosilicato) e coke in polvere (carbonio) in un forno elettrico. Al posto dei diamanti at......
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