Il componente del forno per la crescita dei cristalli SiC di Semicorex, il cilindro in grafite porosa, porterà tre vantaggi principali e potrà rafforzare efficacemente la competitività dei substrati SiC domestici:
Per saperne di piùRecentemente, la nostra azienda ha annunciato di aver sviluppato con successo un monocristallo di ossido di gallio da 6 pollici utilizzando il metodo di fusione, diventando la prima azienda industrializzata nazionale a padroneggiare la tecnologia di preparazione del substrato monocristallino di ossi......
Per saperne di piùIl processo di crescita del silicio monocristallino avviene prevalentemente all'interno di un campo termico, dove la qualità dell'ambiente termico ha un impatto significativo sulla qualità dei cristalli e sull'efficienza della crescita. La progettazione del campo termico gioca un ruolo fondamentale ......
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) è un materiale che possiede un'elevata energia di legame, simile ad altri materiali duri come il diamante e il nitruro di boro cubico. Tuttavia, l’elevata energia di legame del SiC rende difficile la cristallizzazione diretta in lingotti tramite i metodi di fusione tradiz......
Per saperne di piùI materiali semiconduttori possono essere suddivisi in tre generazioni in base alla sequenza temporale. La prima generazione di germanio, silicio e altri monomateriali comuni, caratterizzata da una comoda commutazione, generalmente utilizzata nei circuiti integrati. La seconda generazione di arseniu......
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