Il carburo di silicio (SiC) è un materiale che possiede un'elevata energia di legame, simile ad altri materiali duri come il diamante e il nitruro di boro cubico. Tuttavia, l’elevata energia di legame del SiC rende difficile la cristallizzazione diretta in lingotti tramite i metodi di fusione tradiz......
Per saperne di piùI materiali semiconduttori possono essere suddivisi in tre generazioni in base alla sequenza temporale. La prima generazione di germanio, silicio e altri monomateriali comuni, caratterizzata da una comoda commutazione, generalmente utilizzata nei circuiti integrati. La seconda generazione di arseniu......
Per saperne di piùMentre il mondo cerca nuove opportunità nei semiconduttori, il nitruro di gallio continua a distinguersi come potenziale candidato per future applicazioni di energia e RF. Tuttavia, nonostante tutti i vantaggi che offre, deve ancora affrontare una sfida importante; non esistono prodotti di tipo P (t......
Per saperne di piùL'ossido di gallio (Ga2O3) è emerso come materiale promettente per varie applicazioni, in particolare nei dispositivi di potenza e nei dispositivi a radiofrequenza (RF). In questo articolo esploriamo le opportunità chiave e i mercati target per l’ossido di gallio in questi settori.
Per saperne di piùL'ossido di gallio (Ga2O3) come materiale "semiconduttore con bandgap ultra ampio" ha attirato un'attenzione costante. I semiconduttori con bandgap ultra ampio rientrano nella categoria dei "semiconduttori di quarta generazione" e, rispetto ai semiconduttori di terza generazione come il carburo di s......
Per saperne di più