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Piastra portante per incisione PSS per semiconduttori

Semicorex PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor è appositamente progettato per ambienti di pulizia chimica ad alta temperatura e difficili richiesti per la crescita epitassiale e i processi di manipolazione dei wafer. La nostra ultra pura PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor è progettata per supportare wafer durante le fasi di deposizione di film sottili come MOCVD e suscettori epitassici, pancake o piattaforme satellitari. Il nostro supporto rivestito in SiC ha un'elevata resistenza al calore e alla corrosione, eccellenti proprietà di distribuzione del calore e un'elevata conduttività termica. Forniamo soluzioni convenienti ai nostri clienti e i nostri prodotti coprono molti mercati europei e americani. Semicorex non vede l'ora di essere il vostro partner a lungo termine in C......

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Supporto per incisione PSS rivestito in SiC

I supporti per wafer utilizzati nella crescita epissiale e nella lavorazione dei wafer devono sopportare temperature elevate e una pulizia chimica aggressiva. Semicorex SiC Coated PSS Etching Carrier progettato specificamente per queste esigenti applicazioni di apparecchiature epitassia. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono molti dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Suscettore del barilotto rivestito di SiC per la crescita epitassiale di LPE

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for LPE Epitaaxial Growth è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione ne fanno una scelta ideale per la crescita di strati epitassiali di alta qualità su chip di wafer. La sua personalizzazione ed economicità ne fanno un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Barrel Susceptor Epi System per epitassia LPE

Semicorex Barrel Susceptor Epi System per LPE L'epitassia è un prodotto di alta qualità che offre un'adesione del rivestimento superiore, elevata purezza e resistenza all'ossidazione ad alta temperatura. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione lo rendono una scelta ideale per la crescita degli strati epissiali sui chip di wafer. La sua economicità e personalizzazione lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Sistema reattore per epitassia in fase liquida (LPE).

Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System è un prodotto innovativo che offre eccellenti prestazioni termiche, profilo termico uniforme e adesione del rivestimento superiore. La sua elevata purezza, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione ne fanno una scelta ideale per l'uso nell'industria dei semiconduttori. Le sue opzioni personalizzabili e l'economicità lo rendono un prodotto altamente competitivo sul mercato.

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Deposizione epitassiale CVD nel reattore a botte

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor è un prodotto altamente durevole e affidabile per la crescita di strati epissiali su chip di wafer. La sua resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e l'elevata purezza lo rendono adatto all'uso nell'industria dei semiconduttori. Il suo profilo termico uniforme, il modello di flusso laminare del gas e la prevenzione della contaminazione lo rendono la scelta ideale per la crescita dello strato epissiale di alta qualità.

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