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Cina Rivestito in carburo di silicio Produttori, Fornitori, Fabbrica

Il rivestimento SiC è uno strato sottile sul suscettore attraverso il processo di deposizione chimica da vapore (CVD). Il materiale in carburo di silicio offre una serie di vantaggi rispetto al silicio, tra cui 10 volte l'intensità del campo elettrico di rottura, 3 volte il band gap, che fornisce al materiale resistenza alle alte temperature e chimica, eccellente resistenza all'usura e conduttività termica.

Semicorex offre un servizio personalizzato, ti aiuta a innovare con componenti che durano più a lungo, riducono i tempi di ciclo e migliorano i rendimenti.

Il rivestimento SiC possiede diversi vantaggi unici

Resistenza alle alte temperature: il suscettore rivestito di CVD SiC può resistere a temperature elevate fino a 1600°C senza subire un significativo degrado termico.

Resistenza chimica: il rivestimento in carburo di silicio offre un'eccellente resistenza a un'ampia gamma di sostanze chimiche, inclusi acidi, alcali e solventi organici.

Resistenza all'usura: il rivestimento SiC fornisce al materiale un'eccellente resistenza all'usura, rendendolo adatto per applicazioni che comportano un'elevata usura.

Conducibilità termica: il rivestimento CVD SiC fornisce al materiale un'elevata conducibilità termica, rendendolo adatto all'uso in applicazioni ad alta temperatura che richiedono un trasferimento di calore efficiente.

Elevata resistenza e rigidità: il suscettore rivestito in carburo di silicio fornisce al materiale un'elevata resistenza e rigidità, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono un'elevata resistenza meccanica.

Il rivestimento SiC è utilizzato in varie applicazioni

Produzione di LED: il suscettore con rivestimento CVD SiC viene utilizzato nella produzione di vari tipi di LED, tra cui LED blu e verde, LED UV e LED UV profondo, grazie alla sua elevata conducibilità termica e resistenza chimica.

Supporto per incisione PSS

Suscettore epitassiale LED blu e verde

Suscettore epitassiale LED Deep-UV

Comunicazione mobile: il suscettore rivestito di CVD SiC è una parte cruciale dell'HEMT per completare il processo epitassiale GaN-on-SiC.

Portatore epitassiale GaN-on-SiC

Suscettore del substrato GaN-on-SiC

Elaborazione di semiconduttori: il suscettore rivestito di CVD SiC viene utilizzato nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni, tra cui l'elaborazione di wafer e la crescita epitassiale.

Suscettore del barile

Supporto per incisione ICP

Piastra SiC per processo di mordenzatura ICP

Suscettore per MOCVD

Suscettore di silicio monocristallino

Suscettore epitassico al carburo di silicio

Componenti in grafite rivestiti in SiC

Realizzato in grafite con rivestimento in carburo di silicio (SiC), il rivestimento viene applicato con un metodo CVD a gradi specifici di grafite ad alta densità, quindi può funzionare nel forno ad alta temperatura con oltre 3000 °C in atmosfera inerte, 2200 °C sotto vuoto .

Le proprietà speciali e la massa ridotta del materiale consentono velocità di riscaldamento elevate, distribuzione uniforme della temperatura e un'eccezionale precisione di controllo.

Dati sui materiali del rivestimento Semicorex SiC

Proprietà tipiche	Unità	Valori
Struttura		FCC fase β
Orientamento	Frazione (%)	111 preferito
Densità apparente	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Espansione termica 100â600 °C (212â1112 °F)	10-6K-1	4.5
Modulo di Young	Gpa (curva 4pt, 1300℃)	430
Granulometria	Î¼m	2~10
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Resistenza alla flessione	MPa (RT 4 punti)	415
Conduttività termica	(W/mK)	300

Conclusione Il suscettore rivestito di CVD SiC è un materiale composito che combina le proprietà di un suscettore e del carburo di silicio. Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica, elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale interessante per varie applicazioni ad alta temperatura, tra cui la lavorazione dei semiconduttori, la lavorazione chimica, il trattamento termico, la produzione di celle solari e la produzione di LED.

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Disco ricevitore

Il Susceptor Disc è uno strumento indispensabile nella deposizione chimica da fase vapore metallo-organica (MOCVD), specificamente progettato per supportare e riscaldare wafer semiconduttori durante il processo critico di deposizione dello strato epitassiale. Il Susceptor Disc è determinante nella produzione di dispositivi a semiconduttore, dove la crescita precisa dello strato è fondamentale. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.

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Piastra Si epitassiale monocristallina

la piastra Si epitassiale monocristallina racchiude lo zenit di raffinatezza, durata e affidabilità per applicazioni relative all'epitassia della grafite e alla manipolazione dei wafer. Si distingue per la sua densità, planarità e capacità di gestione termica, posizionandolo come la scelta ottimale per condizioni operative rigorose. L'impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i requisiti di trasporto dei wafer semiconduttori.

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Recettore Epi in silicio monocristallino

Il suscettore Epi in silicio monocristallino è un componente essenziale progettato per i processi di epitassia Si-GaN, che può essere personalizzato in base a specifiche e preferenze personalizzate, fornendo una soluzione su misura che si allinea perfettamente con requisiti specifici. Che si tratti di modifiche dimensionali o aggiustamenti dello spessore del rivestimento, possediamo la capacità di progettare e fornire un prodotto che soddisfi diversi parametri di processo, ottimizzando così le prestazioni per applicazioni mirate. L’impegno di Semicorex per una qualità leader di mercato, unito a considerazioni fiscali competitive, consolida il nostro desiderio di stabilire partnership per soddisfare i vostri requisiti di trasporto di wafer semiconduttori.

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Recettore epitassia SiC

Realizzato con precisione e progettato per l'affidabilità, il suscettore epitassiale SiC presenta un'elevata resistenza alla corrosione, un'elevata conduttività termica, resistenza allo shock termico ed elevata stabilità chimica, che gli consente di funzionare efficacemente all'interno di un'atmosfera epitassiale. Pertanto, il suscettore epitassiale SiC è considerato un nucleo e componente cruciale nelle apparecchiature MOCVD. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Supporto per barca in carburo di silicio

Il supporto per barca in carburo di silicio Semicorex è un prodotto specializzato realizzato in materiale SiC, meticolosamente progettato per applicazioni in settori quali fotovoltaico, elettronica e semiconduttori. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Barca solare in grafite

Semicorex Solar Graphite Boat, un supporto per wafer progettato con precisione progettato per soddisfare le rigorose esigenze della lavorazione dei semiconduttori ad alta temperatura. Realizzata in grafite di prima qualità, questa barca innovativa offre stabilità termica e durata senza precedenti, garantendo prestazioni ottimali anche negli ambienti dei forni più esigenti. Semicorex si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi, non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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