Il rivestimento SiC è uno strato sottile sul suscettore attraverso il processo di deposizione chimica da vapore (CVD). Il materiale in carburo di silicio offre una serie di vantaggi rispetto al silicio, tra cui 10 volte l'intensità del campo elettrico di rottura, 3 volte il band gap, che fornisce al materiale resistenza alle alte temperature e chimica, eccellente resistenza all'usura e conduttività termica.
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Il rivestimento SiC possiede diversi vantaggi unici
Resistenza alle alte temperature: il suscettore rivestito di CVD SiC può resistere a temperature elevate fino a 1600°C senza subire un significativo degrado termico.
Resistenza chimica: il rivestimento in carburo di silicio offre un'eccellente resistenza a un'ampia gamma di sostanze chimiche, inclusi acidi, alcali e solventi organici.
Resistenza all'usura: il rivestimento SiC fornisce al materiale un'eccellente resistenza all'usura, rendendolo adatto per applicazioni che comportano un'elevata usura.
Conducibilità termica: il rivestimento CVD SiC fornisce al materiale un'elevata conducibilità termica, rendendolo adatto all'uso in applicazioni ad alta temperatura che richiedono un trasferimento di calore efficiente.
Elevata resistenza e rigidità: il suscettore rivestito in carburo di silicio fornisce al materiale un'elevata resistenza e rigidità, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono un'elevata resistenza meccanica.
Il rivestimento SiC è utilizzato in varie applicazioni
Produzione di LED: il suscettore con rivestimento CVD SiC viene utilizzato nella produzione di vari tipi di LED, tra cui LED blu e verde, LED UV e LED UV profondo, grazie alla sua elevata conducibilità termica e resistenza chimica.
Comunicazione mobile: il suscettore rivestito di CVD SiC è una parte cruciale dell'HEMT per completare il processo epitassiale GaN-on-SiC.
Elaborazione di semiconduttori: il suscettore rivestito di CVD SiC viene utilizzato nell'industria dei semiconduttori per varie applicazioni, tra cui l'elaborazione di wafer e la crescita epitassiale.
Componenti in grafite rivestiti in SiC
Realizzato in grafite con rivestimento in carburo di silicio (SiC), il rivestimento viene applicato con un metodo CVD a gradi specifici di grafite ad alta densità, quindi può funzionare nel forno ad alta temperatura con oltre 3000 °C in atmosfera inerte, 2200 °C sotto vuoto .
Le proprietà speciali e la massa ridotta del materiale consentono velocità di riscaldamento elevate, distribuzione uniforme della temperatura e un'eccezionale precisione di controllo.
Dati sui materiali del rivestimento Semicorex SiC
Proprietà tipiche |
Unità |
Valori |
Struttura |
|
FCC fase β |
Orientamento |
Frazione (%) |
111 preferito |
Densità apparente |
g/cm³ |
3.21 |
Durezza |
Durezza Vickers |
2500 |
Capacità termica |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Espansione termica 100â600 °C (212â1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Modulo di Young |
Gpa (curva 4pt, 1300℃) |
430 |
Granulometria |
μm |
2~10 |
Temperatura di sublimazione |
℃ |
2700 |
Resistenza alla flessione |
MPa (RT 4 punti) |
415 |
Conduttività termica |
(W/mK) |
300 |
Conclusione Il suscettore rivestito di CVD SiC è un materiale composito che combina le proprietà di un suscettore e del carburo di silicio. Questo materiale possiede proprietà uniche, tra cui resistenza alle alte temperature e agli agenti chimici, eccellente resistenza all'usura, elevata conduttività termica, elevata resistenza e rigidità. Queste proprietà lo rendono un materiale interessante per varie applicazioni ad alta temperatura, tra cui la lavorazione dei semiconduttori, la lavorazione chimica, il trattamento termico, la produzione di celle solari e la produzione di LED.
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