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Vassoio porta wafer

Vassoio porta wafer

Semicorex fornisce ceramiche di grado semiconduttore per i tuoi strumenti di semi-fabbricazione OEM e componenti per la gestione dei wafer concentrandosi sugli strati di carburo di silicio nelle industrie dei semiconduttori. Siamo produttori e fornitori di vassoi per wafer da molti anni. Il nostro vassoio porta wafer ha un buon vantaggio di prezzo e copre la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Suscettore epitassiale LED Deep-UV

Suscettore epitassiale LED Deep-UV

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di suscettori di grafite rivestiti in carburo di silicio in Cina. Da molti anni siamo produttori e fornitori di suscettori epitassiali a LED Deep-UV. I nostri prodotti hanno un buon vantaggio di prezzo e coprono la maggior parte dei mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Suscettore MOCVD con substrato di grafite al carburo di silicio

Suscettore MOCVD con substrato di grafite al carburo di silicio

Semicorex Silicon Carbide Graphite Substrate MOCVD Susceptor è la scelta definitiva per i produttori di semiconduttori alla ricerca di un supporto di alta qualità in grado di offrire prestazioni e durata superiori. Il suo materiale avanzato garantisce un profilo termico uniforme e un modello di flusso di gas laminare, offrendo wafer di alta qualità.

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Supporti per wafer in substrato di grafite con rivestimento SiC per MOCVD

Supporti per wafer in substrato di grafite con rivestimento SiC per MOCVD

Puoi essere certo di acquistare i supporti per wafer in substrato di grafite con rivestimento SiC per MOCVD dalla nostra fabbrica. In Semicorex, siamo un produttore e fornitore su larga scala di suscettori di grafite rivestiti in SiC in Cina. Il nostro prodotto ha un buon vantaggio di prezzo e copre molti dei mercati europei e americani. Ci sforziamo di fornire ai nostri clienti prodotti di alta qualità che soddisfino le loro esigenze specifiche. Il nostro supporto per wafer in substrato di grafite con rivestimento SiC per MOCVD è una scelta eccellente per coloro che cercano un supporto ad alte prestazioni per il loro processo di produzione di semiconduttori.

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Rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di incisione al plasma

Rivestimento SiC ad alta temperatura per camere di incisione al plasma

Quando si tratta di processi di manipolazione dei wafer come epitassia e MOCVD, il rivestimento SiC ad alta temperatura di Semicorex per camere di incisione al plasma è la scelta migliore. I nostri supporti offrono una resistenza al calore superiore, uniforme uniformità termica e resistenza chimica duratura grazie al nostro sottile rivestimento in cristallo SiC.

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Struttura a botte per reattore epitassiale a semiconduttore

Struttura a botte per reattore epitassiale a semiconduttore

Con le sue eccezionali proprietà di conducibilità termica e distribuzione del calore, la struttura a botte Semicorex per reattore epitassiale a semiconduttore è la scelta perfetta per l'uso nei processi LPE e in altre applicazioni di produzione di semiconduttori. Il suo rivestimento SiC ad alta purezza offre una protezione superiore in ambienti ad alta temperatura e corrosivi.

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Vuoi acquistare Graphite-Tray avanzati e durevoli? Semicorex è sicuramente la tua buona scelta. Siamo conosciuti come uno dei produttori e fornitori Graphite-Tray più competitivi in ​​Cina. Forniamo anche imballaggi sfusi. Potresti aver bisogno di alcuni servizi personalizzati per soddisfare le effettive esigenze della tua regione, puoi lasciarci un messaggio attraverso le informazioni di contatto sulla pagina web. Diamo il benvenuto sinceramente ai clienti vecchi e nuovi a visitare la nostra fabbrica per la consultazione e la negoziazione.
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