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Prodotti
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Portapiatti rivestiti in SiC per MOCVD
I supporti per piastre rivestiti in SiC Semicorex per MOCVD sono supporti di alta qualità progettati per l'uso nel processo di produzione dei semiconduttori. La sua elevata purezza, l'eccellente resistenza alla corrosione e il profilo termico uniforme lo rendono una scelta eccellente per chi cerca un supporto in grado di resistere alle esigenze del processo di produzione dei semiconduttori.
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Piastra porta satellite MOCVD
La piastra porta satellite Semicorex MOCVD è un supporto eccezionale progettato per l'uso nell'industria dei semiconduttori. La sua elevata purezza, l'eccellente resistenza alla corrosione e il profilo termico uniforme lo rendono una scelta eccellente per chi cerca un supporto in grado di resistere alle esigenze del processo di produzione dei semiconduttori. Ci impegniamo a fornire ai nostri clienti prodotti di alta qualità che soddisfino le loro esigenze specifiche. Contattaci oggi per saperne di più sulla nostra piastra porta satellite MOCVD e su come possiamo aiutarti con le tue esigenze di produzione di semiconduttori.
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Piastra portante in grafite RTP
La piastra portante in grafite RTP di Semicorex è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione della gestione dei wafer. Il nostro prodotto è progettato per offrire resistenza al calore e uniformità termica superiori, garantendo che i suscettori epitassia siano sottoposti all'ambiente di deposizione, con elevata resistenza al calore e alla corrosione.
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Supporto per rivestimento SiC RTP/RTA
Il supporto di rivestimento SiC Semicorex RTP/RTA è progettato per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Grazie alla sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è progettato per fornire prestazioni ottimali per la crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD
La piastra portante RTP in grafite Semicorex SiC per MOCVD offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con una grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.
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Piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale
La piastra portante RTP rivestita in SiC Semicorex per crescita epitassiale è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con i suoi suscettori di grafite di carbonio di alta qualità e i crogioli di quarzo lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc., questo prodotto è ideale per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC garantisce un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, rendendolo una scelta affidabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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