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Supporto per rivestimento SiC RTP

Supporto per rivestimento SiC RTP

Il supporto di rivestimento Semicorex RTP SiC offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendolo la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer semiconduttori. Grazie alla grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.
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Supporto per rivestimento SiC RTP/RTA

Supporto per rivestimento SiC RTP/RTA

Il supporto di rivestimento SiC Semicorex RTP/RTA è progettato per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Grazie alla sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è progettato per fornire prestazioni ottimali per la crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

Piastra portante RTP in grafite SiC per MOCVD

La piastra portante RTP in grafite Semicorex SiC per MOCVD offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con una grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.
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Piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale

Piastra portante RTP rivestita in SiC per crescita epitassiale

La piastra portante RTP rivestita in SiC Semicorex per crescita epitassiale è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con i suoi suscettori di grafite di carbonio di alta qualità e i crogioli di quarzo lavorati da MOCVD sulla superficie di grafite, ceramica, ecc., questo prodotto è ideale per la gestione dei wafer e l'elaborazione della crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC garantisce un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, rendendolo una scelta affidabile per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.
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Supporto rivestito in SiC RTP RTA

Supporto rivestito in SiC RTP RTA

Semicorex è un produttore e fornitore su larga scala di suscettore di grafite rivestito in carburo di silicio in Cina. Suscettore in grafite Semicorex progettato specificamente per apparecchiature epitassia con elevata resistenza al calore e alla corrosione in Cina. Il nostro supporto rivestito in SiC RTP RTA ha un buon vantaggio in termini di prezzo e copre molti mercati europei e americani. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine.
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Componente ICP rivestito in SiC

Componente ICP rivestito in SiC

Il componente ICP rivestito in SiC di Semicorex è progettato specificamente per processi di gestione di wafer ad alta temperatura come epitassia e MOCVD. Con un sottile rivestimento in cristalli SiC, i nostri supporti forniscono una resistenza al calore superiore, un'uniformità termica uniforme e una resistenza chimica duratura.
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