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Le piastre di rivestimento SIC di semicorex sono portatori di wafer ad alte prestazioni progettati per l'uso in ambienti di elaborazione termica rapidi. Affidata ai principali produttori di semiconduttori, Semicorex offre stabilità termica superiore, durata e controllo della contaminazione supportati da rigorosi standard di qualità e produzione di precisione.*

L'anello Semicorex RTP è un anello in grafite rivestito in SiC progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei sistemi RTP (Rapid Thermal Processing). Scegli Semicorex per la nostra tecnologia avanzata dei materiali, che garantisce durata, precisione e affidabilità superiori nella produzione di semiconduttori.*

La piastra portante in grafite RTP di Semicorex è la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore, inclusa la crescita epitassiale e l'elaborazione della gestione dei wafer. Il nostro prodotto è progettato per offrire resistenza al calore e uniformità termica superiori, garantendo che i suscettori epitassia siano sottoposti all'ambiente di deposizione, con elevata resistenza al calore e alla corrosione.

Il supporto di rivestimento Semicorex RTP SiC offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendolo la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer semiconduttori. Grazie alla grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.

Il supporto di rivestimento SiC Semicorex RTP/RTA è progettato per resistere alle condizioni più difficili dell'ambiente di deposizione. Grazie alla sua elevata resistenza al calore e alla corrosione, questo prodotto è progettato per fornire prestazioni ottimali per la crescita epitassiale. Il supporto rivestito in SiC ha un'elevata conduttività termica ed eccellenti proprietà di distribuzione del calore, garantendo prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizia chimica aggressiva.

La piastra portante RTP in grafite Semicorex SiC per MOCVD offre resistenza al calore e uniformità termica superiori, rendendola la soluzione perfetta per le applicazioni di elaborazione dei wafer a semiconduttore. Con una grafite rivestita in SiC di alta qualità, questo prodotto è progettato per resistere agli ambienti di deposizione più difficili per la crescita epitassiale. L'elevata conduttività termica e le eccellenti proprietà di distribuzione del calore garantiscono prestazioni affidabili per RTA, RTP o pulizie chimiche aggressive.