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Notizie del settore
Tecnologia di produzione della grafite isostatica
La tecnologia di pressatura isostatica è un processo critico nella produzione della grafite isostatica e determina in gran parte le prestazioni del prodotto finale. Pertanto, la ricerca completa e l’ottimizzazione della produzione di grafite isostatica rimangono punti focali essenziali nel settore.
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Progressi della ricerca sui rivestimenti TaC su superfici di materiali a base di carbonio
I materiali a base di carbonio come grafite, fibre di carbonio e compositi carbonio/carbonio (C/C) sono noti per la loro elevata resistenza specifica, elevato modulo specifico ed eccellenti proprietà termiche, che li rendono adatti per un'ampia gamma di applicazioni ad alta temperatura . Questi mate......
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Quali applicazioni del substrato di nitruro di gallio (GaN)?
Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale importante nella tecnologia dei semiconduttori, noto per le sue eccezionali proprietà elettroniche e ottiche. Il GaN, essendo un semiconduttore ad ampio bandgap, ha un'energia di bandgap di circa 3,4 eV, che lo rende ideale per applicazioni ad alta potenza e......
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Sfide tecniche nei forni di crescita dei cristalli di carburo di silicio
I forni per la crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC) sono la pietra angolare della produzione di wafer SiC. Pur condividendo somiglianze con i tradizionali forni per la crescita dei cristalli di silicio, i forni SiC devono affrontare sfide uniche a causa delle condizioni estreme di cres......
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Tecnologia di purificazione della grafite nel semiconduttore SiC
La grafite è vitale nella produzione di semiconduttori al carburo di silicio (SiC), noti per le loro eccezionali proprietà termiche ed elettriche. Ciò rende il SiC ideale per applicazioni ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza. Nella produzione di semiconduttori SiC, la grafite è comunem......
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Metodo di crescita dei cristalli GaN
Quando si producono substrati monocristallini GaN di grandi dimensioni, l'HVPE è attualmente la scelta migliore per la commercializzazione. Tuttavia, la concentrazione del vettore posteriore del GaN cresciuto non può essere controllata con precisione.
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