Nel processo di deposizione di film sottile nella produzione di chip, due tecnologie vengono spesso menzionate insieme, ma sono fondamentalmente diverse: epitassia e deposizione chimica da fase vapore. Sono come cugini, entrambi appartenenti alla famiglia "vapor growth", ma con caratteristiche e pun......
Per saperne di piùQuando ingegneri e team di approvvigionamento cercano componenti in grado di sopravvivere a condizioni di processo difficili, il vero problema raramente è una singola modalità di guasto.
Per saperne di piùLa tecnologia di processo SiC di deposizione chimica in fase vapore (CVD) è essenziale per la produzione di componenti elettronici di potenza ad alte prestazioni, consentendo la precisa crescita epitassiale di strati di carburo di silicio ad elevata purezza sui wafer di substrato. Sfruttando l’ampio......
Per saperne di piùDiversi scenari applicativi hanno requisiti prestazionali diversi per i prodotti in grafite, rendendo la selezione precisa del materiale un passaggio fondamentale nell'applicazione dei prodotti in grafite. La scelta di componenti in grafite con prestazioni corrispondenti agli scenari applicativi può......
Per saperne di piùIl campo termico di crescita del singolo cristallo è la distribuzione spaziale della temperatura all'interno del forno ad alta temperatura durante il processo di crescita del singolo cristallo, che influenza direttamente la qualità, il tasso di crescita e il tasso di formazione dei cristalli del sin......
Per saperne di piùLa produzione avanzata di semiconduttori consiste in molteplici fasi del processo, tra cui la deposizione di film sottile, la fotolitografia, l'incisione, l'impianto di ioni e la lucidatura chimico-meccanica. Durante questo processo, anche i più piccoli difetti possono avere un effetto dannoso sulle......
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