Per soddisfare i requisiti di alta qualità dei processi di circuiti di chip IC con larghezze di linea inferiori a 0,13 μm fino a 28 nm per wafer di lucidatura in silicio da 300 mm di diametro, è essenziale ridurre al minimo la contaminazione da impurità, come gli ioni metallici, sulla superficie del......
Per saperne di piùMentre il mondo è alla ricerca di nuove opportunità nel campo dei semiconduttori, il nitruro di gallio (GaN) continua a distinguersi come potenziale candidato per future applicazioni di potenza e RF. Tuttavia, nonostante i suoi numerosi vantaggi, il GaN deve affrontare una sfida significativa: l’as......
Per saperne di piùLa lucidatura della superficie dei wafer di silicio è un processo cruciale nella produzione di semiconduttori. Il suo obiettivo principale è raggiungere standard estremamente elevati di planarità e ruvidità della superficie rimuovendo microdifetti, strati di danni da stress e contaminazione da impur......
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