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Notizie del settore

Processo di impianto e diffusione di ioni

L'impianto ionico è un metodo di drogaggio dei semiconduttori e uno dei processi principali nella produzione di semiconduttori.

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Sfide della tecnologia di impianto ionico nei dispositivi di potenza SiC e GaN

Si prevede che i semiconduttori a banda larga (WBG), come il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN), svolgeranno un ruolo sempre più importante nei dispositivi elettronici di potenza. Offrono numerosi vantaggi rispetto ai tradizionali dispositivi al silicio (Si), tra cui maggiore effi......

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Varie applicazioni del quarzo nella produzione di semiconduttori

A prima vista, il materiale di quarzo (SiO2) sembra molto simile al vetro, ma la particolarità è che il vetro normale è composto da molti componenti (come sabbia di quarzo, borace, acido borico, barite, carbonato di bario, calcare, feldspato, carbonato di sodio , ecc.), mentre il quarzo contiene sol......

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Comprensione del processo completo di fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore

La fabbricazione di dispositivi a semiconduttore comprende principalmente quattro tipi di processi: (1) Fotolitografia (2) Tecniche di drogaggio (3) Deposizione di film (4) Tecniche di incisione Le tecniche specifiche coinvolte includono fotolitografia, impiantazione ionica, trattamento termic......

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Difficoltà nella preparazione dei substrati SiC

Allo stato attuale, la tendenza direzionale più importante nello sviluppo del substrato è l'espansione del diametro. La linea di produzione di massa da 6 pollici nel mercato globale del SiC sta maturando e aziende leader sono entrate nel mercato da 8 pollici.

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Substrato in carburo di silicio

Il processo del substrato di carburo di silicio è complesso e difficile da produrre. Il substrato SiC occupa il valore principale della catena industriale, pari al 47%. Si prevede che con l'espansione della capacità produttiva e il miglioramento della resa in futuro, si prevede che scenderà al 30%.

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