Il processo di deposizione di film sottili di semiconduttori è una componente essenziale della moderna tecnologia microelettronica. Implica la costruzione di circuiti integrati complessi depositando uno o più strati sottili di materiale su un substrato semiconduttore.
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampio gap di banda che ha attirato molta attenzione negli ultimi anni grazie alle sue eccezionali prestazioni in applicazioni ad alta tensione e alta temperatura. Questo studio esplora sistematicamente le varie caratteristiche dei cristall......
Per saperne di piùIl 4H-SiC, in quanto materiale semiconduttore di terza generazione, è rinomato per l'ampio intervallo di banda, l'elevata conduttività termica e l'eccellente stabilità chimica e termica, che lo rendono estremamente prezioso nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza.
Per saperne di più