Attualmente, molti dispositivi a semiconduttore utilizzano strutture di dispositivi mesa, che vengono create prevalentemente attraverso due tipi di attacco: attacco a umido e attacco a secco. Sebbene l'attacco a umido semplice e rapido svolga un ruolo significativo nella fabbricazione di dispositivi......
Per saperne di piùI dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) sono dispositivi semiconduttori realizzati con materiali in carburo di silicio, utilizzati principalmente in applicazioni elettroniche ad alta frequenza, alta temperatura, alta tensione e alta potenza. Rispetto ai tradizionali dispositivi di poten......
Per saperne di piùIl carburo di silicio utilizza generalmente il metodo PVT, con una temperatura superiore a 2000 gradi, un ciclo di lavorazione lungo e una produzione bassa, quindi il costo dei substrati di carburo di silicio è molto elevato.
Per saperne di piùCome materiale semiconduttore di terza generazione, il nitruro di gallio viene spesso paragonato al carburo di silicio. Il nitruro di gallio dimostra ancora la sua superiorità con il suo ampio gap di banda, l'elevata tensione di rottura, l'elevata conduttività termica, l'elevata velocità di deriva d......
Per saperne di piùI materiali GaN hanno acquisito importanza in seguito all'assegnazione del Premio Nobel per la fisica 2014 per i LED blu. Entrati inizialmente sotto gli occhi del pubblico attraverso le applicazioni di ricarica rapida nell’elettronica di consumo, anche gli amplificatori di potenza e i dispositivi RF......
Per saperne di piùNei campi della tecnologia dei semiconduttori e della microelettronica, i concetti di substrati ed epitassia rivestono un'importanza significativa. Svolgono un ruolo fondamentale nel processo di produzione dei dispositivi a semiconduttore. Questo articolo approfondirà le differenze tra i substrati ......
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