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Notizie del settore

Ricottura

La ricottura dopo l'impianto ionico è un passaggio fondamentale nella produzione di dispositivi a semiconduttore, che influisce sulle prestazioni e sull'affidabilità del dispositivo.

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Crescita dei cristalli AlN mediante metodo PVT

La terza generazione di materiali semiconduttori ad ampio gap di banda, tra cui nitruro di gallio (GaN), carburo di silicio (SiC) e nitruro di alluminio (AlN), presentano eccellenti proprietà elettriche, termiche e acusto-ottiche. Questi materiali risolvono i limiti della prima e della seconda gener......

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Tecnologia di incisione selettiva SiGe e Si

Una fase critica nella fabbricazione di GAAFET di tipo n prevede l'attacco ad alta selettività degli stack SiGe:Si prima della deposizione di distanziatori interni, generando nanofogli di silicio e rilasciando canali.

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SiGe nella produzione di chip: un reportage professionale

Per soddisfare le richieste di prestazioni elevate e basso consumo energetico nel campo della moderna tecnologia dei semiconduttori, il SiGe (silicone germanio) è emerso come materiale composito preferito nella produzione di chip semiconduttori grazie alle sue proprietà fisiche ed elettriche uniche.

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L'unità nel semiconduttore: Angstrom

Come unità di lunghezza, Angstrom (Å) è onnipresente nella produzione di circuiti integrati. Dal controllo preciso dello spessore del materiale alla miniaturizzazione e all'ottimizzazione delle dimensioni del dispositivo, la comprensione e l'applicazione della scala Angstrom è fondamentale per garan......

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Quasi 840 milioni di dollari: Onsemi acquisisce una società SiC

Oggi, Onsemi ha annunciato sul suo sito ufficiale di aver raggiunto un accordo con Qorvo per acquisire il business della tecnologia SiC JFET e la filiale di Qorvo.

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