Il carburo di silicio (SiC) svolge un ruolo importante nella produzione di elettronica di potenza e dispositivi ad alta frequenza grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche e termiche. La qualità e il livello di drogaggio dei cristalli SiC influiscono direttamente sulle prestazioni del disposit......
Per saperne di piùNel processo di crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN mediante il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti come il crogiolo, il supporto del seme del cristallo e l'anello di guida svolgono un ruolo fondamentale. Durante il processo di preparazione del SiC, il seme cristallino s......
Per saperne di piùIl materiale del substrato SiC è il nucleo del chip SiC. Il processo di produzione del substrato è: dopo aver ottenuto il lingotto di cristallo SiC attraverso la crescita del singolo cristallo; quindi la preparazione del substrato SiC richiede levigatura, arrotondamento, taglio, molatura (assottigli......
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) è un materiale che possiede un'eccezionale stabilità termica, fisica e chimica, esibendo proprietà che vanno oltre quelle dei materiali convenzionali. La sua conduttività termica è sorprendente: 84 W/(m·K), ovvero non solo superiore a quella del rame ma anche tre volte su......
Per saperne di piùNel campo in rapida evoluzione della produzione di semiconduttori, anche i più piccoli miglioramenti possono fare una grande differenza quando si tratta di ottenere prestazioni, durata ed efficienza ottimali. Un progresso che sta generando molto entusiasmo nel settore è l’uso del rivestimento TaC (c......
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