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Presentazione della tecnologia di base della barca in grafite

Graphite Boat, è all'avanguardia nell'innovazione tecnologica nel suo settore, con una serie di progressi rivoluzionari progettati per migliorare le prestazioni, la purezza e la durata. Di seguito, approfondiamo le tecnologie principali che definiscono l'eccellenza delle barche in grafite:

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Grafite porosa per la crescita di cristalli SiC di alta qualità mediante metodo PVT

Il carburo di silicio (SiC) è emerso come un materiale chiave nel campo della tecnologia dei semiconduttori, offrendo proprietà eccezionali che lo rendono altamente desiderabile per varie applicazioni elettroniche e optoelettroniche. La produzione di cristalli singoli SiC di alta qualità è fondament......

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3 metodi di stampaggio della grafite

I quattro principali metodi di stampaggio per lo stampaggio della grafite sono: stampaggio per estrusione, stampaggio, stampaggio a vibrazione e stampaggio isostatico. La maggior parte dei comuni materiali in carbonio/grafite presenti sul mercato vengono stampati mediante estrusione e stampaggio a c......

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Cos'è la grafite isostatica?

La grafite speciale è la grafite con una frazione di massa di carbonio superiore al 99,99%, nota anche come "tre grafite alta" (alta resistenza, alta densità, elevata purezza). È caratterizzato da elevata resistenza, alta densità, elevata purezza, elevata stabilità chimica, elevata conduttività term......

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Presentazione del trasporto fisico del vapore (PVT)

Le caratteristiche proprie del SiC determinano che la sua crescita monocristallina sia più difficile. A causa dell'assenza della fase liquida Si:C=1:1 a pressione atmosferica, il processo di crescita più maturo adottato dal mainstream dell'industria dei semiconduttori non può essere utilizzato per f......

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Rilasciati prodotti epitassiali GaN HEMT ad alta potenza da 850 V

Nel novembre 2023, Semicorex ha rilasciato prodotti epitassiali GaN-on-Si da 850 V per applicazioni di dispositivi di potenza HEMT ad alta tensione e alta corrente. Rispetto ad altri substrati per dispositivi di potenza HMET, GaN-on-Si consente dimensioni di wafer più grandi e applicazioni più diver......

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