Sono diversi i materiali attualmente allo studio, tra i quali il carburo di silicio si distingue come uno dei più promettenti. Simile al GaN, vanta tensioni operative più elevate, tensioni di rottura più elevate e conduttività superiore rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla sua elevata conduttiv......
Per saperne di piùMentre il mondo cerca nuove opportunità nei semiconduttori, il nitruro di gallio continua a distinguersi come potenziale candidato per future applicazioni di energia e RF. Tuttavia, nonostante tutti i vantaggi che offre, deve ancora affrontare una sfida importante; non esistono prodotti di tipo P (t......
Per saperne di piùL'ossido di gallio (Ga2O3) è emerso come materiale promettente per varie applicazioni, in particolare nei dispositivi di potenza e nei dispositivi a radiofrequenza (RF). In questo articolo esploriamo le opportunità chiave e i mercati target per l’ossido di gallio in questi settori.
Per saperne di piùL'ossido di gallio (Ga2O3) come materiale "semiconduttore con bandgap ultra ampio" ha attirato un'attenzione costante. I semiconduttori con bandgap ultra ampio rientrano nella categoria dei "semiconduttori di quarta generazione" e, rispetto ai semiconduttori di terza generazione come il carburo di s......
Per saperne di piùLa grafitizzazione è il processo di trasformazione del carbone non grafitico in carbone grafitico con struttura ordinata regolare tridimensionale di grafite mediante trattamento termico ad alta temperatura, sfruttando appieno il calore della resistenza elettrica per riscaldare il materiale del carbo......
Per saperne di piùLe parti rivestite nel campo caldo monocristallino di silicio semiconduttore sono generalmente rivestite con il metodo CVD, compreso il rivestimento in carbonio pirolitico, rivestimento in carburo di silicio e rivestimento in carburo di tantalio, ciascuno con caratteristiche diverse.
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