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Taglio SiC

Il carburo di silicio (SiC) è molto apprezzato nell'industria dei semiconduttori per le sue eccellenti proprietà fisiche e chimiche. Tuttavia, l’elevata durezza e fragilità del SiC pongono notevoli sfide alla sua lavorazione.

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Wafer epitassiali al nitruro di gallio: un'introduzione al processo di fabbricazione

La crescita del wafer epitassiale al nitruro di gallio (GaN) è un processo complesso, che spesso utilizza un metodo in due fasi. Questo metodo prevede diverse fasi critiche, tra cui la cottura ad alta temperatura, la crescita dello strato tampone, la ricristallizzazione e la ricottura. Controllando ......

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Qual è la differenza tra wafer epitassiali e diffusi

Sia i wafer epitassiali che quelli diffusi sono materiali essenziali nella produzione di semiconduttori, ma differiscono in modo significativo nei processi di fabbricazione e nelle applicazioni target. Questo articolo approfondisce le principali distinzioni tra questi tipi di wafer.

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Flusso del processo del nucleo del substrato in carburo di silicio

Il substrato in carburo di silicio è un materiale monocristallino semiconduttore composto composto da due elementi, carbonio e silicio. Ha le caratteristiche di un ampio gap di banda, elevata conduttività termica, elevata intensità di campo di rottura critica e elevato tasso di deriva della saturazi......

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Il ruolo critico dei substrati SiC e della crescita dei cristalli nell'industria dei semiconduttori

All’interno della catena industriale del carburo di silicio (SiC), i fornitori di substrati detengono un’influenza significativa, principalmente grazie alla distribuzione del valore. I substrati SiC rappresentano il 47% del valore totale, seguiti dagli strati epitassiali con il 23%, mentre la proget......

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Applicazione di SiC e GaN nei veicoli elettrici

I MOSFET SiC sono transistor che offrono elevata densità di potenza, efficienza migliorata e bassi tassi di guasto alle alte temperature. Questi vantaggi dei MOSFET SiC apportano numerosi vantaggi ai veicoli elettrici (EV), tra cui un'autonomia di guida più lunga, una ricarica più rapida e veicoli e......

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