Nel processo di crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN mediante il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti come il crogiolo, il supporto del seme del cristallo e l'anello di guida svolgono un ruolo fondamentale. Durante il processo di preparazione del SiC, il seme cristallino s......
Per saperne di piùIl materiale del substrato SiC è il nucleo del chip SiC. Il processo di produzione del substrato è: dopo aver ottenuto il lingotto di cristallo SiC attraverso la crescita del singolo cristallo; quindi la preparazione del substrato SiC richiede levigatura, arrotondamento, taglio, molatura (assottigli......
Per saperne di piùRecentemente, la nostra azienda ha annunciato di aver sviluppato con successo un monocristallo di ossido di gallio da 6 pollici utilizzando il metodo di fusione, diventando la prima azienda industrializzata nazionale a padroneggiare la tecnologia di preparazione del substrato monocristallino di ossi......
Per saperne di piùIl carburo di silicio (SiC) è un materiale che possiede un'eccezionale stabilità termica, fisica e chimica, esibendo proprietà che vanno oltre quelle dei materiali convenzionali. La sua conduttività termica è sorprendente: 84 W/(m·K), ovvero non solo superiore a quella del rame ma anche tre volte su......
Per saperne di piùNel campo in rapida evoluzione della produzione di semiconduttori, anche i più piccoli miglioramenti possono fare una grande differenza quando si tratta di ottenere prestazioni, durata ed efficienza ottimali. Un progresso che sta generando molto entusiasmo nel settore è l’uso del rivestimento TaC (c......
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