Allo stato attuale, la tendenza direzionale più importante nello sviluppo del substrato è l'espansione del diametro. La linea di produzione di massa da 6 pollici nel mercato globale del SiC sta maturando e aziende leader sono entrate nel mercato da 8 pollici.
Per saperne di piùIl processo del substrato di carburo di silicio è complesso e difficile da produrre. Il substrato SiC occupa il valore principale della catena industriale, pari al 47%. Si prevede che con l'espansione della capacità produttiva e il miglioramento della resa in futuro, si prevede che scenderà al 30%.
Per saperne di piùAttualmente, molti dispositivi a semiconduttore utilizzano strutture di dispositivi mesa, che vengono create prevalentemente attraverso due tipi di attacco: attacco a umido e attacco a secco. Sebbene l'attacco a umido semplice e rapido svolga un ruolo significativo nella fabbricazione di dispositivi......
Per saperne di piùLe ceramiche al carburo di silicio offrono numerosi vantaggi nel settore delle fibre ottiche, tra cui stabilità alle alte temperature, basso coefficiente di dilatazione termica, bassa soglia di perdita e danneggiamento, resistenza meccanica, resistenza alla corrosione, buona conduttività termica e b......
Per saperne di piùI dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) sono dispositivi semiconduttori realizzati con materiali in carburo di silicio, utilizzati principalmente in applicazioni elettroniche ad alta frequenza, alta temperatura, alta tensione e alta potenza. Rispetto ai tradizionali dispositivi di poten......
Per saperne di piùIl carburo di silicio utilizza generalmente il metodo PVT, con una temperatura superiore a 2000 gradi, un ciclo di lavorazione lungo e una produzione bassa, quindi il costo dei substrati di carburo di silicio è molto elevato.
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