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Eteroepitassia di 3C-SiC: una panoramica
Lo sviluppo del 3C-SiC, un importante politipo di carburo di silicio, riflette il continuo progresso della scienza dei materiali semiconduttori. Negli anni '80 Nishino et al. ha ottenuto per la prima volta una pellicola 3C-SiC spessa 4 μm su un substrato di silicio utilizzando la deposizione chimica......
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SiC spesso CVD ad elevata purezza: approfondimenti sul processo per la crescita del materiale
Gli strati spessi e di elevata purezza di carburo di silicio (SiC), in genere superiori a 1 mm, sono componenti critici in varie applicazioni di alto valore, tra cui la fabbricazione di semiconduttori e le tecnologie aerospaziali. Questo articolo approfondisce il processo di deposizione chimica in f......
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Silicio monocristallino e silicio policristallino
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La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è una tecnica versatile di deposizione di film sottile ampiamente utilizzata nell'industria dei semiconduttori per fabbricare film sottili conformi e di alta qualità su vari substrati. Questo processo prevede reazioni chimiche di precursori gassosi su una ......
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